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- 三星芯片封裝專家離職:去向成迷!
據(jù)報(bào)道, 一位在臺(tái)積電擁有近二十年豐富經(jīng)驗(yàn)的芯片領(lǐng)域資深專家Jing-Cheng Lin,于兩年前轉(zhuǎn)投三星半導(dǎo)體研究中心系統(tǒng)封裝實(shí)驗(yàn)室,擔(dān)任副總裁一職,近期宣布離職。
Jing-Cheng Lin自1999年起在臺(tái)積電深耕至2017年,積累了深厚的行業(yè)底蘊(yùn)。2022年,他選擇加入三星,專注于芯片封裝技術(shù)的革新與發(fā)展,這一決定正值三星加大對(duì)先進(jìn)封裝技術(shù)投資力度之際,希望構(gòu)建一支業(yè)界領(lǐng)先的團(tuán)隊(duì)。
隨著摩爾定律逐漸逼近物理極限,封裝技術(shù)的突破成為推動(dòng)下一代芯片發(fā)展的關(guān)鍵。Jing-Cheng Lin的加入,無(wú)疑為三星在封裝領(lǐng)域的拓展注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。
在三星任職期間,Jing-Cheng Lin在HBM4內(nèi)存封裝技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著成就。鑒于三星在HBM3E市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)劣勢(shì),公司將戰(zhàn)略重心轉(zhuǎn)向了HBM4,以期在人工智能領(lǐng)域的激烈競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)先機(jī)。因此,HBM4項(xiàng)目的成功與否對(duì)三星具有舉足輕重的意義。
Jing-Cheng Lin已在領(lǐng)英上確認(rèn)了其從三星離職的消息,并表示其為期兩年的合同已經(jīng)到期。 他還強(qiáng)調(diào)了自己在三星期間為先進(jìn)封裝技術(shù)做出的貢獻(xiàn),包括用于3D IC的混合銅鍵合技術(shù)以及HBM-16H的研發(fā)。
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