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將三維材料變二維，合成新型極薄材料的方法問世;二維材料非常薄，只有幾個原子厚，具有獨特的性質(zhì)，使其在能量存儲、催化和水凈化等方面極具吸引力。瑞典林雪平大學研究人員開發(fā)出一種能夠合成數(shù)百種新型二維材料......
易控等優(yōu)點成為紅外光電探測器的主流選擇。然而，碲鎘汞的固有缺陷和長波難控制等缺點難以避免，瓶頸問題難以突破。為滿足光電探測器高性能、低成本的發(fā)展需求，一些研究者通過開發(fā)新的材料體系來制備新型紅外光電探測器（如零維、二維材料......
引用地址：北京時間2023年9月29日，復旦大學周鵬-包文中團隊取得重大研究進展，發(fā)明了一種面向集成電路制造的二維材料生長方法，能夠在工業(yè)界主流12英寸（300毫米）晶圓上進行均勻和單層材料......
生長的規(guī)模（Scale）和成本（Cost）。 北京時間2023年9月29日，復旦大學周鵬-包文中團隊取得重大研究進展，發(fā)明了一種面向集成電路制造的二維材料生長方法，能夠在工業(yè)界主流12英寸（300......
他們打算在高功率的超級電容上做文章。 目前，業(yè)內(nèi)對此主要的研究方法是使用新型的納米材料，來改善超級電容的性能。此前也有科研團隊使用石墨烯等儲電性能強的二維材料來制備超級電容，但電容器的性能得到的改善有限。UCF科研團隊也曾嘗試采用僅僅幾個原子厚度的二維材料......
性以及與不同襯底的兼容性而受到關(guān)注。目前，印刷的二維晶體管受到性能不理想、半導體層較厚和器件密度低的制約。同時，多數(shù)二維材料油墨通常使用高沸點溶劑，隨之而來的問題包括器件性能退化、高材料成本和毒害性等，難以......
1納米以下制程重大突破！臺積電等研發(fā)出“鉍”密武器;在IBM剛剛官宣研發(fā)成功2nm芯片不久，臺積電也有了新的動作！中國臺灣大學、臺積電與麻省理工學院共同發(fā)表研究成果，首度提出利用半金屬鉍（Bi）作為二維材料......
同質(zhì)外延在GaN芯片上形成了二維材料?？梢栽谛酒仙L出與芯片質(zhì)量相同的GaN半導體，并容易地移除，從而實現(xiàn)使用單個GaN芯片連續(xù)生產(chǎn)GaN半導體。 得益于其高速開關(guān)、低損耗和高效率的特性，GaN半導體作為下一代電動汽車的功率半導體材料......
國家重點實驗室狄增峰研究團隊基于鍺基石墨烯襯底開發(fā)出晶圓級金屬電極陣列轉(zhuǎn)印技術(shù)，在二維材料與金屬電極的大面積無損范德華集成研究方面取得進展。相關(guān)工作于2022年5月23日以“Graphene-assisted metal transfer......
二維材料成功集成到硅微芯片內(nèi)，有望用于高級數(shù)據(jù)存儲和計算; 微芯片內(nèi)的設備和電路的光學顯微鏡圖像。圖片來源：《自然》雜志網(wǎng)站 沙特阿卜杜拉國王科技大學科學家在27日出版的《自然》雜志......
二維材料成功集成到硅微芯片內(nèi)，有望用于高級數(shù)據(jù)存儲和計算;3月27日，沙特阿卜杜拉國王科技大學科學家在《自然》雜志上發(fā)表論文指出，他們成功將二維材料集成在硅微芯片上，并實現(xiàn)了優(yōu)異的集成密度、電子......
成為當前延續(xù)摩爾定律的一個重要研究方向。迄今為止，針對鐵電二維材料憶阻晶體管的研究仍然匱乏，尤其是具有垂直構(gòu)型的門電壓可調(diào)的憶阻器件的研究一直缺失，主要原因是傳統(tǒng)基于隧穿架構(gòu)的二維......
成為當前延續(xù)摩爾定律的一個重要研究方向。迄今為止，針對鐵電二維材料憶阻晶體管的研究仍然匱乏，尤其是具有垂直構(gòu)型的門電壓可調(diào)的憶阻器件的研究一直缺失，主要原因是傳統(tǒng)基于隧穿架構(gòu)的二維......
后自動生成相應器件的測試流程 二維/石墨烯材料及電子器件測試 所謂二維材料 （Two dimensional material ），指的是電子僅可在兩個維度的非納米尺度（1-100nm）上自由運動（平面運動）的材料，屬于納米材料......
兩大集成電路學院，“芯”突破！;近日，北京大學集成電路學院和浙江大學集成電路學院在芯片研究領(lǐng)域均取得了新的進展。其中，北大研究團隊在通用伊辛機的構(gòu)建上取得了突破性進展，而浙大團隊則提出了一種全二維材料......
打造集成電路領(lǐng)域的未來科學與技術(shù)戰(zhàn)略高地。 據(jù)北京科技大學介紹，雙方將共同建設“二維材料與器件集成技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”“8英寸二維半導體晶圓制造與集成創(chuàng)新中心”等高水平研發(fā)平臺，重點開展二維半導體材料......
×100平方納米，厚度僅為3納米，限制光的時間要長得多。其關(guān)鍵在于雙曲聲子極化激元的使用，這種獨特的電磁激勵發(fā)生在形成空腔的二維材料中。 與以前不同，此次研究利用了一種新的間接限制機制。研究......
培養(yǎng)等全方位合作。據(jù)悉，本次戰(zhàn)略合作建立在前沿交叉科學技術(shù)研究院張躍院士團隊與紫光集團長期深入合作基礎上，主要包括共同建設“二維材料與器件集成技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”、“8英寸二維半導體晶圓制造與集成創(chuàng)新中心”等高......
華間隙”，即層狀二維材料之間的原子級小間隙，開發(fā)了這種新型材料。這些間隙可以限制分子或離子，材料科學家通常使用它們來插入或嵌入其他元素，以調(diào)整材料特性。 為了開發(fā)新材料，研究人員將零價銅原子插入到由硒化鍺和硫化錫組成的二維材料......
已經(jīng)滿足不了它的生產(chǎn)制造了，于是臺積電就另辟蹊徑，開始尋找新型材料。而這時麻省理工學院剛好發(fā)現(xiàn)了一種半金屬鉍電極，可以作為二維材料用于1nm芯片，所以就與臺積電展開了合作。 隨著......
顯著提高了芯片的能效。 據(jù)介紹，該材料已成功應用于芯片制程中，結(jié)合二維材料，可制備出低功耗器件。 該研究對于智能手機的電池續(xù)航、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、5G等方面均有重要意義。 ......
研究實現(xiàn)了三方面技術(shù)革新： 首先，采用高載流子熱速度（更小有效質(zhì)量）的三層硒化銦作溝道，實現(xiàn)了目前場效應晶體管的最高值； 第二，解決了二維材料表面生長超薄氧化層的難題，制備出2.6納米......
有技術(shù)節(jié)點下能夠大幅提升集成密度的三維疊層互補晶體管 (CFET) 技術(shù)價值凸顯，但全硅基 CFET 的工藝復雜度高且性能在復雜工藝環(huán)境下退化嚴重。 據(jù)介紹，這種硅基二維互補疊層晶體管利用成熟的后端工藝將新型二維材料......
次得到研究的一類由層狀過渡金屬碳化物、氮化物或碳氮化物構(gòu)成的新型二維材料。由于其優(yōu)異的導電性、層狀結(jié)構(gòu)和可調(diào)諧的表面性質(zhì)，MXenes已經(jīng)被應用于各種領(lǐng)域，例如儲能、光電器件和電致變色器件等。然而，作為二維材料，原始MXenes由于......
異質(zhì)集成疊層晶體管。該技術(shù)利用成熟的后端工藝將新型二維材料集成在硅基芯片上，并利用兩者高度匹配的物理特性，成功實現(xiàn)4英寸大規(guī)模三維異質(zhì)集成互補場效應晶體管。在相......
以滿足頻繁的數(shù)據(jù)交互。隨著計算機數(shù)據(jù)吞吐量的爆發(fā)式增長，突破傳統(tǒng)浮柵晶體管擦寫速度、耐久性等瓶頸，發(fā)展一種可兼顧高速、耐久特性的存儲技術(shù)勢在必行。 二維材料具有原子級厚度和無懸掛鍵表面，在器......
果近日發(fā)表于國際學術(shù)期刊《自然》。 論文共同第一作者、東南大學教授馬亮表示，這份研究不僅突破了大面積均勻雙層二硫化鉬的層數(shù)可控外延生長技術(shù)瓶頸，研制了最高性能的二硫化鉬晶體管器件，而且雙層二硫化鉬層數(shù)可控成核新機制有望進一步拓展至其他二維材料......
鐵電通過層間滑移實現(xiàn)極化翻轉(zhuǎn)所需電場較小，如此小的電場不足以使帶電缺陷移動。并且由于二維材料層狀結(jié)構(gòu)，缺陷難以跨越層間進行移動，因此缺陷不會聚集，也不會產(chǎn)生鐵電疲勞。 以存儲器為例，使用新型二維滑移鐵電材料......
異質(zhì)集成疊層晶體管。該技術(shù)利用成熟的后端工藝將新型二維材料集成在硅基芯片上，并利用兩者高度匹配的物理特性，成功實現(xiàn)4英寸......
硅已經(jīng)不能繼續(xù)縮小了，而二維材料則有望代替硅使芯片性能有所提升，但是二維材料存在的高電阻、低問題，成為學界的一大難點。 麻省理工學院研究發(fā)現(xiàn)一種叫做鉍電極的物質(zhì)可以增強降低電阻，可以與二維材料......
異質(zhì)集成疊層晶體管。該技術(shù)利用成熟的后端工藝將新型二維材料集成在硅基芯片上，并利用兩者高度匹配的物理特性，成功實現(xiàn)4英寸......
二維材料成功集成到硅微芯片內(nèi)，有望用于高級數(shù)據(jù)存儲和計算;3月27日，沙特阿卜杜拉國王科技大學科學家在《自然》雜志上發(fā)表論文指出，他們成功將集成在上，并實現(xiàn)了優(yōu)異的集成密度、電子性能和良品率。研究......
的方法需要超過一天的時間來生成 2D 材料，新方法則將其縮短到了一小時內(nèi)。 “使用二維材料是提高集成電路密度的有效方法。我們正在做的就像建造一座多層建筑。如果你只有一層，這是傳統(tǒng)的情況，它不會容納很多人。但是......
開發(fā)出不使用硅的替代技術(shù)設備，提高能源效率和速度。 描述被調(diào)查系統(tǒng)中霍爾效應的圖表。圖片來源：圣彼得堡國立大學 石墨烯是碳的二維改性形式，是當今所有可用的二維材料中最輕、最堅固的，而且具有高導電性。2018年，圣彼......
強說道。 3微米間距的混合鍵合技術(shù) 3個原子厚的超薄二維材料 材料同樣是晶體管微縮的關(guān)鍵。宋繼強表示，英特爾采用RibbonFET結(jié)構(gòu)實現(xiàn)GAA時，隨著源極和漏極之間的間距縮小，硅材料......
和反饋路徑可同時存在于一個網(wǎng)絡中。最新研究創(chuàng)建出性能優(yōu)異的神經(jīng)網(wǎng)絡：具有解決機器學習中復雜問題潛力的計算學習程序。 研究團隊解釋說，二維材料只由幾層原子組成，這種精細的尺度賦予其多種奇異的特性，可根據(jù)材料......
米線和導電聚合物等開展積極研究。 MXene是一種具有高電導率和透光率的二維材料，具有優(yōu)異的電化學和光電性能，可通過溶液加工實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。盡管擁有這些誘人特性，但其電性能很容易因空氣中的濕氣或水而劣化，因此其商業(yè)化備受挑戰(zhàn)。 為解......
是一種具有高電導率和透光率的二維材料，具有優(yōu)異的電化學和光電性能，可通過溶液加工實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。盡管擁有這些誘人特性，但其電性能很容易因空氣中的濕氣或水而劣化，因此其商業(yè)化備受挑戰(zhàn)。為解......
上海微系統(tǒng)所在Nature Electronics報道新型碳基二維半導體材料基本物性研究重大進展;以石墨烯為代表的碳基二維材料自發(fā)現(xiàn)以來受到了廣泛關(guān)注。然而，石墨......
設備中，電子在同一納米尺度空間內(nèi)以兩個相反的方向傳播，而且沒有散射。這樣的一維系統(tǒng)十分少見，有望解決基礎物理中一系列問題。 在第一種二維材料石墨烯問世20年后，這種......
可從多種途徑實現(xiàn)更新迭代。比如，利用二維材料作為手機芯片，有望使手機打破摩爾定律的束縛，變得運行更快、能耗更低；使用光伏材料作為手機外殼，有望使手機隨時借助陽光充電。這些，為未來手機形態(tài)提供了巨大的想象空間。 ......
士生茍廣洋、楊軼副教授和華東師范大學通信與電子工程學院孫亞賓副教授。 任天令教授團隊長期致力于二維材料器件技術(shù)研究，從材料、器件結(jié)構(gòu)、工藝、系統(tǒng)集成等多層次實現(xiàn)創(chuàng)新突破，先后在《自然》（Nature......
團隊探索了莫爾條紋物理學的新進展。莫爾條紋是一種幾何設計，當兩種圖案相互層疊時就會出現(xiàn)。當二維材料堆疊時，會出現(xiàn)單獨一層不存在的新特性。當這些層扭曲形成莫爾條紋時，電子......
們在日常生活中深受“續(xù)航焦慮”的折磨。開發(fā)更加節(jié)能的電子終端勢在必行，而這繞不開一個關(guān)鍵問題——芯片的能耗。目前科學家正在從多種途徑尋求破解之方，包括開發(fā)二維材料芯片、類腦芯片等等。利用磁學原理開發(fā)磁集成電路則為解決電子終端能耗問題提供了新思路。 ......
光電所羅先剛院士團隊發(fā)表在Advanced?Science,?2022,?9(9):?2103429.的關(guān)于二維材料的研究。 助力學科發(fā)展的同時，ARMS還服務國家重大工程。復享......
宜的節(jié)點來實現(xiàn)密度改進較小的其他一些功能的能力。 在不久之前，我們曾披露，復旦大學微電子學院的周鵬教授，包文中研究員及信息科學與工程學院的萬景研究員，創(chuàng)新地提出了硅基二維異質(zhì)集成疊層晶體管技術(shù)。 該技術(shù)利用成熟的后端工藝將新型二維材料......
單層技術(shù)如何受到這些金屬誘導間隙的影響。此外，文中并建議采用后過渡金屬鉍和半導體單層過渡金屬二硫化物以縮減間隙的尺寸，從而生產(chǎn)出比以往更小尺寸的2D晶體管。 二維材料，是指電子僅可在兩個維度的納米尺度(1......
電的2納米工藝也將采用GAAFET架構(gòu)。 隨著芯片制造工藝的精進，硅基芯片材料已無法滿足行業(yè)未來進一步發(fā)展的需要。2納米制程的制作過程中或?qū)⒁胍恍┬碌?font color='#FC5C18'>材料，其中二維材料（如石墨烯、過渡......
研究高溫超導等強關(guān)聯(lián)體系，非平庸新型拓撲材料，新型磁性、多鐵、光電和熱電材料，二維材料及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)，復合材料體系、納米體系和軟凝聚態(tài)體系等，深入研究新型量子器件物理與技術(shù)，發(fā)展多體理論與計算方法，為制備新型量子材料......
神經(jīng)元之間的連接強度變化的實驗結(jié)果。觀察到下游神經(jīng)元的放電程度隨著突觸重量的減小而降低。圖片來源：韓國科學技術(shù)研究院 該團隊使用hBN制造垂直堆疊的憶阻器器件。hBN是一種有利于實現(xiàn)高集成度和超低功耗的二維材料，可展......

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;淄博金鼎纖維材料有限公司;;我公司于2004年5月份成立,主要生產(chǎn)玻璃纖維拉絲與織物于一體的中型企業(yè).總投資3000萬元,特聘高級技術(shù)人員5名,專業(yè)技術(shù)人員26名,員工300人.年產(chǎn)值5000萬.
;華人在線;;中國移動二維碼｜二維碼｜深圳中國移動二維碼｜中國移動二維碼深圳華人在線｜中國移動二維碼深圳注冊中心｜中國移動二維碼深圳營銷服務部｜中國移動二維碼深圳營銷服務中心｜深圳二維碼｜注冊深圳中國移動二維
;東莞市巨能新型保溫材料有限公司;;巨能公司是由一群有著十多年生產(chǎn)及銷售保溫材料經(jīng)驗的、充滿活力的專業(yè)人士，經(jīng)過市場的優(yōu)化組合而成立的。集科研、生產(chǎn)、銷售新型保溫材料為一體，下屬有礦棉纖維材料
;上海佶隆地工公司;;『佶隆地工，國內(nèi)著名的地下工程材料生產(chǎn)提供商與防腐防水工程專家，生產(chǎn)各類地下工程材料：地工防滲膜（防滲膜,HDPE防滲膜,LDPE防滲膜,EVA防滲膜）,地工排水網(wǎng)（復合
℃、1600、1700、1800、等以及根據(jù)客戶要求設計特殊溫度電爐。爐襯全部采用耐高溫纖維材料，可靠的集成化電路，可編程升溫，從室內(nèi)溫度到最高溫度標準型最快升溫速度30分鐘，受到廣大客戶好評 。 廣泛
;信碼互通北京科技有限公司;;關(guān)于信碼互通 信碼互通（北京）科技有限公司致力于二維條碼技術(shù)及相關(guān)應用的研究和開發(fā)工作，是國內(nèi)外知名的二維碼技術(shù)提供商。公司擁有強大的技術(shù)團隊，產(chǎn)品全部自主研發(fā)，擁有
;靈馬二維碼科技公司靈動快拍濟南;;二維碼可以用于各個行業(yè)及領(lǐng)域。靈動快拍二維碼團隊由移動互聯(lián)網(wǎng)、圖像識別、數(shù)據(jù)算法、自動識別技術(shù)、市場營銷等領(lǐng)域資深專家組成。 主要功能有移動營銷、會議簽到、防偽
制作可耐高溫250℃。2.氈套內(nèi)部含有熱收縮纖維材料, 經(jīng)加熱后氈套會自動收縮，包裹緊密。3.氈套表面平整、密度均勻，耐磨性好。使用壽命長。耐高溫針刺毛氈：1.進口材料制作，常用規(guī)格有耐溫160
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;信碼互通（北京）科技有限公司;;專業(yè)的手機二維碼技術(shù)服務運營商
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