- 首頁(yè)
- 晶體管 - 雙極(BJT) - 射頻
資訊
Nexperia推出采用空間和能源效率較高的DFN2020D-3封裝的熱門功率BJT(2024-09-02)
Nexperia推出采用空間和能源效率較高的DFN2020D-3封裝的熱門功率BJT;滿足行業(yè)對(duì)采用更現(xiàn)代封裝的功率雙極結(jié)型晶體管的需求
奈梅亨,2024年 9月2日:Nexperia今日宣布其廣受歡迎的功率雙極結(jié)型晶體管......
晶體管收音機(jī)電路原理圖講解(2024-04-22)
收音機(jī)的電路原理圖并解釋其工作原理。
雙極結(jié)型晶體管(BJT)是該電路中的主要元件。在此設(shè)置中,通常使用 NPN 晶體管。通過(guò)充當(dāng)放大器,晶體管可以增強(qiáng)傳入的微弱射頻?(RF)?信號(hào)。天線接收射頻,然后通過(guò)調(diào)諧 LC......
Nexperia推出采用空間和能源效率較高的DFN2020D-3封裝的熱門功率BJT(2024-09-05)
Nexperia推出采用空間和能源效率較高的DFN2020D-3封裝的熱門功率BJT;
【導(dǎo)讀】Nexperia宣布其廣受歡迎的功率雙極結(jié)型晶體管(BJT)產(chǎn)品組合再次擴(kuò)展,推出......
Nexperia推出采用空間和能源效率較高的DFN2020D-3封裝的熱門功率BJT(2024-09-02 14:36)
Nexperia推出采用空間和能源效率較高的DFN2020D-3封裝的熱門功率BJT;滿足行業(yè)對(duì)采用更現(xiàn)代封裝的功率雙極結(jié)型晶體管的需求Nexperia今日宣布其廣受歡迎的功率雙極結(jié)型晶體管(BJT......
Nexperia推出采用空間和能源效率較高的DFN2020D-3封裝的熱門功率BJT(2024-09-02 14:36)
Nexperia推出采用空間和能源效率較高的DFN2020D-3封裝的熱門功率BJT;滿足行業(yè)對(duì)采用更現(xiàn)代封裝的功率雙極結(jié)型晶體管的需求Nexperia今日宣布其廣受歡迎的功率雙極結(jié)型晶體管(BJT......
雙極性結(jié)型晶體管的開關(guān)損耗(2024-05-09)
雙極性結(jié)型晶體管的開關(guān)損耗;在SPICE仿真的幫助下,我們研究了當(dāng)BJT用作開關(guān)時(shí)發(fā)生的兩種類型的功耗。本文引用地址:(BJT)既可以用作小信號(hào)放大器,也可以用作開關(guān)。盡管......
一文解析MOS管/三極管/IGBT之間的關(guān)系(2024-11-09 00:48:11)
須對(duì)這三者的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理有大致的了解。
BJT
雙極性晶體管,俗稱三極管。內(nèi)部結(jié)構(gòu)(以PNP型BJT為例)如下圖所示。
BJT內(nèi)部......
請(qǐng)問(wèn)一下IGBT是如何實(shí)現(xiàn)電路控制的?(2024-06-14)
請(qǐng)問(wèn)一下IGBT是如何實(shí)現(xiàn)電路控制的?;絕緣柵雙極晶體管(英語(yǔ):Insulated Gate Bipolar Transistor,?IGBT),是半導(dǎo)體器件的一種,主要用于新能源電動(dòng)汽車、及電......
了解RET的開關(guān)特性(2023-02-03)
了解RET的開關(guān)特性;可通過(guò)基極電流開啟或關(guān)閉雙極結(jié)型晶體管(BJT)。但是,由于基極-發(fā)射極二極管兩端的壓降在很大程度上取決于溫度,因而在許多應(yīng)用中,需要一個(gè)串聯(lián)電阻將基極電流保持在所需水平,從而......
新能源汽車解析丨什么是IGBT?結(jié)構(gòu)與拆解(2023-10-08)
方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。它是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。簡(jiǎn)單概括一下,IGBT可以說(shuō)是MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和BJT的結(jié)合體(雙極結(jié)型晶體管)。即它結(jié)合了MOSFET的柵壓控制晶體管(高輸......
干貨總結(jié)|晶體管的應(yīng)用知識(shí)(2023-03-28)
你可以用它來(lái)打開或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開,這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。
1. 晶體管BJT的工作原理
讓我們從經(jīng)典的NPN晶體管開始。
下圖是個(gè)雙極結(jié)晶體管(BJT),有三......
列器件適用于可穿戴設(shè)備和智能手機(jī)中的負(fù)載開關(guān),也可用于功率要求更高的數(shù)字電路。例如空間受限的計(jì)算、通信、工業(yè)和汽車應(yīng)用。值得注意的是,DFN封裝的RET采用雙重空間節(jié)省方案,可加倍提高空間利用率。首先,通過(guò)將雙極性晶體管(BJT)和電......
為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)功率LED(2023-02-08)
為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)功率LED;大功率燈串(例如汽車前燈中用的燈串)要求電流恒定,也就是無(wú)論環(huán)境溫度和輸入電壓如何波動(dòng)變化,電流都保持穩(wěn)定。電流穩(wěn)定可以確保燈串的亮度水平恒定,有助......
倍提高空間利用率。首先,通過(guò)將雙極性晶體管(BJT)和電阻巧妙地集成到單一封裝中,可節(jié)省大量電路板空間。此外,無(wú)引腳DFN封裝本身的空間效益較高。這種......
并自行完成晶圓制造與封裝測(cè)試的 IGBT 元件。目前該 IGBT 元件通過(guò)用戶試用,預(yù)計(jì)今年年內(nèi)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。?(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor,即絕緣柵雙極型晶體管)
?
據(jù)悉,重慶......
用源表測(cè)試IV參數(shù)的典型應(yīng)用及源表測(cè)試軟件(2023-03-20)
、分立和無(wú)源元件
兩端口器件——傳感器、磁盤驅(qū)動(dòng)器頭、金屬氧化物可變電阻(MOV)、二極管、齊納二極管、電容、熱敏電阻
三端口器件——小信號(hào)雙極結(jié)型晶體管(BJT)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),等等
2、簡(jiǎn)單......
開關(guān)、肖特基、齊納和保護(hù)二極管、雙極結(jié)晶體管(BJT)、N溝道及P溝道MOSFET、配電阻晶體管和LED驅(qū)動(dòng)器。
Nexperia提供多種汽車級(jí)分立器件無(wú)引腳封裝,從小尺寸DFN1006BD-2 (1......
Nexperia雙通道500 mA RET可在空間受限的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高功率負(fù)載開關(guān)(2023-09-27 11:10)
用于功率要求更高的數(shù)字電路。例如空間受限的計(jì)算、通信、工業(yè)和汽車應(yīng)用。值得注意的是,DFN封裝的RET采用雙重空間節(jié)省方案,可加倍提高空間利用率。首先,通過(guò)將雙極性晶體管(BJT)和電阻巧妙地集成到單一封裝中,可節(jié)......
Nexperia推出全新的500 mA雙通道內(nèi)置電阻晶體管(2023-09-27)
的RET采用雙重空間節(jié)省方案,可加倍提高空間利用率。首先,通過(guò)將雙極性晶體管(BJT)和電阻巧妙地集成到單一封裝中,可節(jié)省大量電路板空間。此外,無(wú)引腳DFN封裝本身的空間效益較高。這種......
調(diào)頻發(fā)射電路(2023-07-24)
前置放大器的設(shè)計(jì):
在此,我們?cè)O(shè)計(jì)一個(gè)簡(jiǎn)單的單級(jí)共射極放大器作為前置放大器。
a) 選擇 Vcc:我們選擇了 NPN 雙極結(jié)型晶體管 BC109。由于該晶體管的 VCEO 約為 40V,因此我們選擇了更低的 Vcc......
單片機(jī)工作電壓5V的來(lái)歷(2023-02-02)
-Transistor Logic,即BJT-BJT邏輯門電路,是數(shù)字電子技術(shù)中常用的一種邏輯門電路,應(yīng)用較早,技術(shù)已比較成熟。TTL主要有BJT(Bipolar Junction Transistor 即雙極結(jié)型晶體管......
吉利科技旗下晶能微電子自研首款車規(guī)級(jí) IGBT 產(chǎn)品成功流片(2023-03-16)
(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(Metal......
這40個(gè)模擬電路基礎(chǔ)知識(shí)太有用了!(2024-06-06)
NPN管,這應(yīng)該在確定電源形式時(shí)同時(shí)考慮。有些的外殼與某個(gè)電極相連,對(duì)于硅管來(lái)說(shuō)往往是集電極。在需要某極接地時(shí)應(yīng)考慮這個(gè)因素。
11、場(chǎng)效應(yīng)晶體管與BJT在工作過(guò)程中有很大的區(qū)別:BJT中的......
90%的工程師會(huì)忽略的 40 個(gè)實(shí)用模擬電路小常識(shí),你是其中之一嗎?(2024-10-20 23:26:13)
鄰 PCB 走線的中心線間距要大于 PCB 線寬的 3 倍。在插卡設(shè)備,接插件連接的位置,要有許多接地針,提供良好的射頻回路。
6、雙極型管是電流控制器件,通過(guò)......
90%的人會(huì)忽略的40個(gè)實(shí)用模擬電路小常識(shí)(2024-11-30 17:23:02)
地時(shí)應(yīng)考慮這個(gè)因素。
11、場(chǎng)效應(yīng)晶體管與BJT在工作過(guò)程中有很大的區(qū)別:BJT中的電荷載體是空穴或被擊出的少量的“少子”,F(xiàn)ET中的電荷則是數(shù)目相對(duì)多幾個(gè)數(shù)量級(jí)的自由電子,“多子......
電子工程師必備!40個(gè)模擬電路小常識(shí)!(2024-12-15 01:50:33)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管與BJT在工作過(guò)程中有很大的區(qū)別:BJT中的電荷載體是空穴或被擊出的少量的“少子”,F(xiàn)ET中的......
廠商談IGBT大缺貨:根本買不到!(2023-03-20)
車廠頻頻出手搶購(gòu)所致。
業(yè)界分析,IGBT是一種功率開關(guān)元件,有「電力電子CPU」之譽(yù),是由BJT(雙極性接面晶體管)和MOSFET(金氧半場(chǎng)效晶體管)組成......
什么是變頻器(VFD)?(2024-04-11)
的開關(guān)有可能實(shí)現(xiàn)更好的逆變器輸出可控性以及相關(guān)的改進(jìn)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)。
較舊的逆變器設(shè)計(jì)通常使用可控硅整流器 (SCR) 或雙極結(jié)型晶體管?(BJT) 作為開關(guān)組件。SCR 可以在 250 至 500 Hz 范圍內(nèi)工作,而......
功率半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車充電中的作用(2022-11-28)
半導(dǎo)體器件又稱為電力電子器件,主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件,包括MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、BJT(全程雙極性結(jié)型晶體管,也就是三極管)、晶閘......
用于軟復(fù)位和電源循環(huán)
NPN雙極結(jié)型晶體管用作驅(qū)動(dòng)電路
驅(qū)動(dòng)P溝道高端開關(guān)的一種方法是使用NPN雙極結(jié)型晶體管(BJT),如圖4所示。此電路形成一個(gè)逆變器,將來(lái)自看門狗輸出的低電平有效信號(hào)轉(zhuǎn)換為P溝道MOSFET開關(guān)......
高端開關(guān)的一種方法是使用NPN雙極結(jié)型晶體管(BJT),如圖4所示。此電路形成一個(gè)逆變器,將來(lái)自看門狗輸出的低電平有效信號(hào)轉(zhuǎn)換為P溝道MOSFET開關(guān)所需的高電平邏輯信號(hào)。?
當(dāng)系......
選擇合適的集成度來(lái)滿足電機(jī)設(shè)計(jì)要求(2023-06-13)
選擇合適的集成度來(lái)滿足電機(jī)設(shè)計(jì)要求;這篇文章是我們運(yùn)動(dòng)控制技術(shù)文章系列的第三篇(第一篇 |第二篇)。
如果您正在設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,以往您可能會(huì)使用如雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 等多......
基于音頻放大器的模擬分壓器解析(2023-06-15)
。事實(shí)上,這些穩(wěn)壓器可以被認(rèn)為是可調(diào)齊納二極管。
基于雙極結(jié)晶體管 (BJT)
的分壓器 圖 2 中的 VS 沒有推挽輸出級(jí),并且在無(wú)負(fù)載的情況下會(huì)浪費(fèi)大量功率。我們可以使用基于 BJT 的 VS......
150W功率放大器電路(2023-09-01)
歐姆的負(fù)載(揚(yáng)聲器)。本文引用地址:電路的原理:
該電路的基本原理是雙極結(jié)型晶體管的不同偏置方式。 麥克風(fēng)輸出的電信號(hào)非常低。使用 CE 配置的雙極結(jié)型晶體管在 A 類模式下偏壓,可將......
Dialog的PrimAccurate?原邊控制專利技術(shù),消除所需的次級(jí)調(diào)節(jié)器和光耦器件,從而節(jié)省BOM成本。同時(shí),以低成本雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 替換場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)。采用BJT開關(guān)......
設(shè)計(jì)高效電動(dòng)車快速直流充電樁方案,您需要這樣一份文檔!(2023-03-08)
層面涉及主逆變器和發(fā)電機(jī)、升壓轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器;器件封裝類型包括分立式、電源模塊;功率器件種類有硅MOSFET、硅IGBT、硅BJT(雙極晶體管)、碳化硅(SiC)MOSFET和氮化鎵(GaN)HEMT等......
設(shè)計(jì)高效電動(dòng)車快速直流充電樁方案,您需要這樣一份文檔!(2023-03-08)
轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器;器件封裝類型包括分立式、電源模塊;功率器件種類有硅MOSFET、硅IGBT、硅BJT(雙極晶體管)、碳化硅(SiC)MOSFET和氮化鎵(GaN)HEMT等。
前不......
A類、B類、AB類、C類、D類5類功放介紹及比較(2024-09-03)
電路采用金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)替代雙極型晶體管(BJT),這是由于前者具有更快的響應(yīng)時(shí)間,因而適用于高頻工作模式。D類放大器需要兩只MOSFET,它們......
微型微控制器托管雙直流/直流升壓轉(zhuǎn)換器(2023-03-29)
就是死區(qū)時(shí)間。操作電感器的開關(guān)通常是 BJT(雙極結(jié)晶體管)或 MOSFET。MOSFET 是,因?yàn)樗軌蛱幚泶箅娏?、更高的效率和更高的開關(guān)速度。然而,在低電壓下,很難......
雙面散熱汽車IGBT器件熱測(cè)試評(píng)估方式創(chuàng)新(2023-03-06)
雙面散熱汽車IGBT器件熱測(cè)試評(píng)估方式創(chuàng)新;IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由(Bipolar Junction......
?了解磁耦合RF變壓器的非理想性輸電線變壓器和分支線圈介紹(2024-02-01)
線圈的特性,它是傳輸線變壓器的重要組成部分。然后我們將以Guanella 1:1平衡轉(zhuǎn)換器為例,說(shuō)明如何設(shè)置雙極線圈來(lái)構(gòu)建射頻變壓器。在本文的最后,我們將簡(jiǎn)要回顧一些傳輸線巴倫在實(shí)際中的應(yīng)用。
確定......
車規(guī)級(jí)IGBT有多重要?(2024-03-11)
車規(guī)級(jí)IGBT有多重要?;作為電力電子行業(yè)里的“CPU”,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是國(guó)際上公認(rèn)的電子革命中最具代表性的產(chǎn)品。將多個(gè)IGBT芯片集成封裝在一起形成IGBT模塊,其功率更大、散熱......
汽車級(jí)大功率IGBT現(xiàn)狀及未來(lái)趨勢(shì)研究 ?(2024-07-14)
高壓系統(tǒng)中主要以大功率 IGBT 模塊方案為主。
2. IGBT 工作原理
IGBT 芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)結(jié)合了 MOSFET 的驅(qū)動(dòng)優(yōu)勢(shì)及 BJT(雙極性晶體管)的導(dǎo)通優(yōu)勢(shì)(如圖 3 所示)。
圖 3......
一文看懂3D晶體管(2016-11-01)
來(lái)看看早期最有力、速度最快的BJT晶體管和現(xiàn)在最常用的MOSFET晶體管有什么不同。
BJT晶體管通道
BJT的構(gòu)成很簡(jiǎn)單,就是把2個(gè)P型半導(dǎo)體夾住1個(gè)N型半導(dǎo)體變成三明治。當(dāng)然,也有用2個(gè)N型半......
儲(chǔ)能系統(tǒng)的關(guān)鍵零部件——IGBT介紹(2024-10-08 17:04:04)
源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?
IGBT可以通俗的理解為是帶閥門控制的能控制電子雙向(多向)流動(dòng)的晶體管。IGBT是由BJT雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管MOS組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有 MOSFET金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管......
大規(guī)模商用在即,回顧SiC器件的前世今生(2017-08-28)
相形勝出
第一款向市場(chǎng)投放的碳化硅功率電晶體是在2008年,以1,200伏結(jié)場(chǎng)效應(yīng)電晶體(JFET)的形式出現(xiàn)的。SemiSouth實(shí)驗(yàn)室遵循了JFET的方法,因?yàn)楫?dāng)時(shí),雙極結(jié)晶體管(BJT)和......
從硅到碳化硅,更高能效是功率器件始終的追求(2023-09-07)
MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和BJT(Bipolar Junction Transistor,雙極晶體管)的結(jié)合體,因此既有MOSFET的優(yōu)勢(shì),也有BJT的優(yōu)勢(shì)。綜合而言,IGBT的優(yōu)勢(shì)包括高電流、高電......
100W MOSFET功率放大器電路(2023-09-06)
相比,MOSFET 具有驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、熱穩(wěn)定性較低、輸入阻抗高等優(yōu)點(diǎn)。前置放大器由兩級(jí)差分放大器電路組成,用于產(chǎn)生無(wú)噪聲放大信號(hào)。 前置放大器的第一級(jí)由使用 PNP 晶體管......
一文讀懂功率半導(dǎo)體(2022-12-14)
和電網(wǎng)等。主要分為單極型和雙極型。雙極型:功率二極管、晶閘管、BJT(雙極性三極管)、電力晶體管(GTR)、IGBT。單極型:MOSFET,肖特基二極管。根據(jù)每個(gè)細(xì)分產(chǎn)品的物理性能不同,不同......
Nexperia的新型雙極結(jié)晶體管采用DPAK封裝,為汽車和工業(yè)應(yīng)用提供高可靠性;
奈梅亨,2021年7月29日:Nexperia是基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家,今日宣布推出9款新的功率雙極性晶體管......
相關(guān)企業(yè)
;深圳市雄基電子器材有限公司;;是深圳老牌的電子產(chǎn)品供應(yīng)商,公司位于華強(qiáng)北電子大廈。主要產(chǎn)品:穩(wěn)壓電路 .穩(wěn)壓二極管 1瓦 . 集成電路 . 穩(wěn)壓二極管 .To-92雙極型晶體管 . 貼片
燈 儀器儀表 產(chǎn)品以下; D I P S M D 橋式整流器/穩(wěn)壓二極管/普通二極管/恢復(fù)二極管/能量二極管/開關(guān)二極管/高效整流二極管/TO-9雙極型晶體管/TO-92M0D雙極型晶體管TO-92L
/SOT-23 MOS 管CJ5853DC 數(shù)字晶體管DTA144EE/SOT-523 雙極型晶體管MMST2222A/SOT-323 雙極型晶體管MMBT2222A/SOT-23 雙極型晶體管
. 通用邏輯IC(CMOS邏輯IC) e. 通用線性IC(運(yùn)放和比較器,馬達(dá)驅(qū)動(dòng)IC,電源IC, etc) f. 光電半導(dǎo)體(LD,LED,光傳感器,光耦合和光中繼,etc) g. 晶體管(小信號(hào)雙極晶體管
傳感器、顏色傳感器?、?高頻管雙柵場(chǎng)效應(yīng)管、高頻三極管、單片微波管、射頻硅雙極晶體管、微波雙極晶體管 、集成IC紅外遙控IC、紅外數(shù)據(jù)IC、藍(lán)牙IC?等。經(jīng)營(yíng)品牌有:德律風(fēng)根、?英飛凌?、安捷倫、夏普
. 代理日本松下全系列車載繼電器。 3. 代理日本三洋全系列OS-CON電容、全系列POSCAP電容。 4. 代理日本三洋半導(dǎo)體大小功率MOSFET,低飽和大小信號(hào)雙極晶體管,功率雙極晶體管,肖特基勢(shì)壘二極管及射頻晶體管
;豐泰電子(香港)公司;;ROHM大中華區(qū)專業(yè)經(jīng)銷商。分離式半導(dǎo)體如晶體管,場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET、雙極晶體管、數(shù)字晶體管、復(fù)合晶體管;二極管,肖特基勢(shì)壘二極管、整流二極管、整流二極管、開關(guān)
;無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司;;isc固電半導(dǎo)體的事業(yè)始于1991年,位于江蘇省無(wú)錫新區(qū)創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園,擁有40畝土地及一萬(wàn)多平方米廠房,主營(yíng)雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET、可控硅、肖特
日本的物流和基礎(chǔ)設(shè)施問(wèn)題導(dǎo)致硅供應(yīng)中斷,不僅會(huì)影響NAND閃存、DRAM、微控制器、標(biāo)準(zhǔn)邏輯、LCD面板和LCD元件,而且會(huì)影響分立器件等產(chǎn)品,如MOSFET、雙極晶體管和小信號(hào)晶體管。 本文來(lái)自維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng) http
傳感器 / 煤氣傳感器 / 霍爾傳感器 / 熱釋紅外人體傳感器) 、 高頻微波管 (高頻雙柵場(chǎng)效應(yīng)管 / 高頻三極管 / 單片微波管 / 射頻硅雙極晶體管 / 微波雙極晶體管 )