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資訊
3.3V和1.8V電平轉(zhuǎn)換——電平轉(zhuǎn)換芯片(2024-11-21 14:19:56)
要方向控制信號
。每個TVC器件包含一個N溝道導(dǎo)通晶體管陣列，它們的門在內(nèi)部連接在一起。
在轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，將連接其中一個 FET 作為參考晶體管，其他晶體管導(dǎo)通晶體管......
MOSFET開關(guān)損耗簡介(2024-04-30)
MOSFET開關(guān)損耗簡介;本文將通過解釋功耗的重要來源來幫助您優(yōu)化開關(guān)模式調(diào)節(jié)器和驅(qū)動器電路。本文引用地址：的工作可以分為兩種基本模式：線性和開關(guān)。在線性模式中，晶體管......
認(rèn)證的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）EPC2252，為設(shè)計人員提供比硅 MOSFET 更小和更高效的解決方案，用于車規(guī)級激光雷達(dá)、48 V/12 V DC/DC轉(zhuǎn)換和低電感電機(jī)驅(qū)動器。
作為......
【泰克應(yīng)用分享】 FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
傳感器基于MOSFET或金屬氧化物半導(dǎo)體FET，這是一個帶有絕緣柵極的三端或四端FET。
圖3顯示了一個n溝道MOSFET或nMOS晶體管，具有四個端子：柵極、漏極、源極和體極（塊體）。源極......
采用EPC新型車規(guī)級GaN FET設(shè)計更高分辨率激光雷達(dá)系統(tǒng)(2023-02-07 11:58)
采用EPC新型車規(guī)級GaN FET設(shè)計更高分辨率激光雷達(dá)系統(tǒng);以實現(xiàn)更先進(jìn)的自主式系統(tǒng)EPC推出 80 V、通過AEC-Q101 認(rèn)證的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）EPC2252，為設(shè)......
采用EPC新型車規(guī)級GaN FET設(shè)計更高分辨率激光雷達(dá)系統(tǒng) 以實現(xiàn)更先進(jìn)的自主式系統(tǒng);EPC推出?80 V、通過AEC-Q101?認(rèn)證的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）EPC2252，為設(shè)......
還在為用氮化鎵設(shè)計高壓電源犯難？試試這兩個器件(2023-03-29)
轉(zhuǎn)換效率和功率密度是設(shè)計成功的關(guān)鍵。本文引用地址：
為了滿足這些要求，開關(guān)模式電源系統(tǒng)的設(shè)計者需要從使用傳統(tǒng)的硅 (Si) 基金屬氧化物場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 轉(zhuǎn)為使用其它器件，因為......
EPC新推由氮化鎵場效應(yīng)晶體管驅(qū)動且可擴(kuò)展的DC/DC演示板(2021-05-14)
大大減少鋁片所散出的熱量，從而進(jìn)一步節(jié)省系統(tǒng)成本。
宜普電源轉(zhuǎn)換公司的首席執(zhí)行官Alex Lidow說："氮化鎵場效應(yīng)晶體管eGaN? FET具備開關(guān)快速、尺寸小和效率高等優(yōu)勢，從而......
EPC新推由氮化鎵場效應(yīng)晶體管驅(qū)動且可擴(kuò)展的DC/DC演示板(2021-05-14)
大大減少鋁片所散出的熱量，從而進(jìn)一步節(jié)省系統(tǒng)成本。
宜普電源轉(zhuǎn)換公司的首席執(zhí)行官Alex Lidow說："氮化鎵場效應(yīng)晶體管eGaN? FET具備開關(guān)快速、尺寸小和效率高等優(yōu)勢，從而......
EPC新推由氮化鎵場效應(yīng)晶體管驅(qū)動且可擴(kuò)展的DC/DC演示板(2021-05-14)
大大減少鋁片所散出的熱量，從而進(jìn)一步節(jié)省系統(tǒng)成本。
宜普電源轉(zhuǎn)換公司的首席執(zhí)行官Alex Lidow說："氮化鎵場效應(yīng)晶體管eGaN? FET具備開關(guān)快速、尺寸小和效率高等優(yōu)勢，從而......
EPC推出80V、通過AEC-Q101認(rèn)證的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(2023-02-07)
EPC推出80V、通過AEC-Q101認(rèn)證的氮化鎵場效應(yīng)晶體管;
【導(dǎo)讀】EPC推出 80 V、通過AEC-Q101 認(rèn)證的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）EPC2252，為設(shè)......
無刷直流電機(jī)的電流換向電路 無刷直流電機(jī)的三相全橋驅(qū)動電路(2023-03-20)
直流電機(jī)之所以既只用直流電，又不用電刷，是因為外部有個電路來專門控制它各線圈的通電。這個電流換向電路最主要的部件是FET(場效應(yīng)晶體管，F(xiàn)ield-EffectTransitor)?？梢园?font color='#FC5C18'>FET看作......
請問一下IGBT是如何實現(xiàn)電路控制的？(2024-06-14)
（MOSFET）的高電流單柵控制特性及雙極性晶體管的低飽和電壓的能力，在單一的IGBT器件里，會透過把一個隔離的場效應(yīng)晶體管（FET）結(jié)合，作為其控制輸入，并以雙極性晶體管......
NXP為采埃孚下一代SiC MOSFET提供驅(qū)動(2024-06-25)
了比硅更快的開關(guān)速度、更低的傳導(dǎo)損耗和更好的熱性能。
每個 IGBT 和 MOSFET 的前端都有一個充當(dāng)電容器的柵極。必須充滿電才能“打開”功率晶體管，從而允許電流在漏極和源極之間流動。相反，耗盡......
基于FET的100W音頻放大器電路圖(2024-04-19)
基于FET的100W音頻放大器電路圖;該 100W?音頻放大器設(shè)計采用兩個 V-MOSFET?晶體管技術(shù)作為輸出級，可在 4 Ω 負(fù)載下提供 100W 輸出。重要的是，通過添加散熱器或風(fēng)扇等方式使輸出級的晶體管......
Nexperia建立新的特定型應(yīng)用FET類別以優(yōu)化性能(2020-10-22)
品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900......
EPC新推80 V和200 V eGaN?FET,進(jìn)一步擴(kuò)大其高性能氮化鎵產(chǎn)品陣容;宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）是增強(qiáng)型硅基氮化鎵 (eGaN) 功率 晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者。新推......
有符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的管腳尺寸。雙極性晶體管應(yīng)用廣泛，如LED汽車照明系統(tǒng)；LCD顯示器中的背光燈調(diào)光；線性穩(wěn)壓器；繼電器替代產(chǎn)品、電機(jī)驅(qū)動和?MOSFET?驅(qū)動器。
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Nexperia的產(chǎn)......
更小、更快、更節(jié)能，半導(dǎo)體芯片迎大突破(2023-07-17)
計算應(yīng)用上的運行速度就越快。電阻越低，存儲器的訪問速度越快。
他們還稱，MoS2和AlScN的結(jié)合是晶體管技術(shù)的真正突破。由于要使器件小型化，其他研究團(tuán)隊的FE-FET一直受到鐵電特性損失的阻礙。在這......
學(xué)子專區(qū)—ADALM2000實驗：有源整流器(2023-05-12)
基二極管同樣有一個內(nèi)置的固定正向電壓。利用FET較低的傳導(dǎo)損耗，與輸入交流波形同步地主動開關(guān)MOSFET器件以模仿二極管，可以實現(xiàn)更高的效率。有源整流常被稱為同步整流，是指......
Nexperia發(fā)布P溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的堅固LFPAK56封裝(2020-05-08)
半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏......
Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN?MOSFET(2022-07-06)
-MOSFETs
關(guān)于Nexperia
Nexperia，作為生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體二極管件的專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)二極管件、MOSFET......
半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC......
選擇合適的集成度來滿足電機(jī)設(shè)計要求(2023-06-13)
電機(jī)狀態(tài)的反饋，并發(fā)送信號來調(diào)節(jié)電機(jī)的扭矩、位置和速度。柵極驅(qū)動器將來自 MCU 的信號放大，以驅(qū)動電機(jī)的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。
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圖 1：基本電機(jī)控制方框圖
您可以使用 BJT......
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%(2020-04-23)
關(guān)于Nexperia
Nexperia，作為半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管......
Nexperia發(fā)布具備市場領(lǐng)先效率的晶圓級12和30V?MOSFET(2022-07-27)
生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體二極管件的專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia......
Nexperia位于曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動，首批產(chǎn)品為行業(yè)領(lǐng)先的Qrr品質(zhì)因數(shù)80?V/100?V?MOSFET(2021-06-24)
生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC......
正確選擇MOSFET以優(yōu)化電源效率(2023-03-27)
下找到電路中的最小損耗點。設(shè)計人員在選擇 MOSFET 比率時必須牢記這些規(guī)范。
圖 8：最佳效率的比較
結(jié)語 MOSFET 的選擇與電路效率密切相關(guān)，而精確的數(shù)學(xué)模型可以簡化 MOSFET 晶體管......
基礎(chǔ)知識之晶體管(2024-03-21)
。
FET
Field Effect Transistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。
接合型FET多用于音頻設(shè)備等的模擬電路中，MOS型FET主要......
Nexperia首次推出 用于48 V汽車和其他更高電壓總線電路的80 V RET(2021-01-12)
器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。其產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面......
車規(guī)級氮化鎵ToF可在28A并具1.2ns脈寬的脈沖電流驅(qū)動激光(2020-01-14)
測物件的速度及準(zhǔn)確性非常重要。EPC9144演示板展示出通過AECQ101認(rèn)證的車規(guī)級EPC2216氮化鎵場效應(yīng)晶體管具備快速轉(zhuǎn)換性能，與等效MOSFET相比，EPC2216的功率脈沖可以快速10倍的......
擴(kuò)產(chǎn)！安世半導(dǎo)體新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動(2021-06-24)
（安世半導(dǎo)體）是聞泰科技的子公司，分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商，其生產(chǎn)的產(chǎn)品包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 以及......
Nexperia推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET?(ASFET)新產(chǎn)品組合(2022-05-12)
品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年......
品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部......
Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設(shè)計性能(2024-01-30)
宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新......
Qorvo 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設(shè)計性能(2024-01-30 14:48)
Qorvo 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設(shè)計性能;全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET......
Nexperia將于2021年9月21日-23日舉辦“Power?Live”(2021-08-30)
豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付1000多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品......
新增SiC和IGBT模型,羅姆官網(wǎng)可提供超過3,500種LTspice模型(2023-10-12)
物－半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是FET中最常用的結(jié)構(gòu)。
*4) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）
同時具有MOSFET的高速開關(guān)特性和雙極晶體管的低導(dǎo)通損耗特性的功率晶體管......
新增SiC和IGBT模型，羅姆官網(wǎng)可提供超過3,500種LTspice?模型(2023-10-12)
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*3) MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）
金屬－氧化物－半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是FET中最......
Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設(shè)計(2024-01-30)
宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L?封裝中實現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ?導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V ?作為 ?全新引腳兼容 ?系列......
發(fā)展及市場營銷高級副總裁 Philip Zuk 表示：“Transphorm 將繼續(xù)拓展產(chǎn)品線，向市場推出多樣化的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）。無論客戶有什么樣的設(shè)計需求，Transphorm都能......
二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。
而KYOCERA AVX公司成立于2021年4月，是由京瓷的“企業(yè)電子元件部門”和“AVX”合并......
品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900多億......
如何利用 SiC 打造更好的電動車牽引逆變器(2024-07-23)
每個開關(guān)僅使用 4 個 SiC FET，則可以用較高損耗為代價實現(xiàn)更低的成本。這種情況如表?1 案例 5 所示，此時，損耗仍然遠(yuǎn)低于基于?IGBT 的解決方案。
該表的下半部分比較在使用?1200V 晶體管......
新增SiC和IGBT模型，羅姆官網(wǎng)可提供超過3,500種LTspice?模型(2023-10-12)
，是FET中最常用的結(jié)構(gòu)。
*4) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）
同時具有MOSFET的高速開關(guān)特性和雙極晶體管的低導(dǎo)通損耗特性的功率晶體管......
Nexperia“Power Live”在線研討會于2020年7月2日和3日正式上線(2020-06-29)
豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品......
品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年......
EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET(2024-03-05)
您所需的特定工作條件，我們會推薦合適的替代方案。
宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN?)的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商，氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件......
專用于混合動力汽車/電動汽車的高頻穩(wěn)健性汽車類GaN FET(2024-09-10)
輸出電容可實現(xiàn)快速的漏源轉(zhuǎn)換，特別是在低負(fù)載電流下。這進(jìn)一步提高了GaN FET的開關(guān)效率。
無體二極管：與硅和碳化硅(SiC)MOSFET不同，GaN晶體管結(jié)構(gòu)中沒有體二極管，因此沒有反向恢復(fù)損耗。這一......
Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優(yōu)勢(2023-10-16)
Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優(yōu)勢;常閉耗盡型 (D-Mode) 與增強(qiáng)型 (E-Mode) 氮化鎵晶體管本質(zhì)優(yōu)勢對比之簡短指南
氮化......
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電源、電焊機(jī)、儀器儀表、汽車電子等領(lǐng)域的推廣，服務(wù)與銷售。 代理產(chǎn)品線： ROHM（羅姆）半導(dǎo)體：電源管理IC；MOSFET；晶體管（包括：雙極晶體管，復(fù)合晶體管，數(shù)字晶體管）；二極管（包括：肖特
管 晶體管 光電半導(dǎo)體 通用線性IC ◆FUJI（富士電機(jī)） 功率MOSFET 電源控制IC 功率半導(dǎo)體（IGBT） 整流二極管 ◆德國EPCOS（愛普科斯） 氣體放電管 Surge Arresters
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日本的物流和基礎(chǔ)設(shè)施問題導(dǎo)致硅供應(yīng)中斷，不僅會影響NAND閃存、DRAM、微控制器、標(biāo)準(zhǔn)邏輯、LCD面板和LCD元件，而且會影響分立器件等產(chǎn)品，如MOSFET、雙極晶體管和小信號晶體管。 本文來自維庫電子市場網(wǎng) http
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