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學(xué)子專區(qū)—ADALM2000實驗：有源整流器(2023-05-12)
基二極管同樣有一個內(nèi)置的固定正向電壓。利用FET較低的傳導(dǎo)損耗，與輸入交流波形同步地主動開關(guān)MOSFET器件以模仿二極管，可以實現(xiàn)更高的效率。有源整流常被稱為同步整流，是指......
EPC新推由氮化鎵場效應(yīng)晶體管驅(qū)動且可擴(kuò)展的DC/DC演示板(2021-05-14)
EPC新推由氮化鎵場效應(yīng)晶體管驅(qū)動且可擴(kuò)展的DC/DC演示板;EPC9137是一款兩相的48 V/12 V雙向轉(zhuǎn)換器，以小型化解決方案提供1.5 kW功率，效率為97%，適用于輕度混合動力汽車和電池......
EPC新推由氮化鎵場效應(yīng)晶體管驅(qū)動且可擴(kuò)展的DC/DC演示板(2021-05-14)
EPC新推由氮化鎵場效應(yīng)晶體管驅(qū)動且可擴(kuò)展的DC/DC演示板;EPC9137是一款兩相的48 V/12 V雙向轉(zhuǎn)換器，以小型化解決方案提供1.5 kW功率，效率為97%，適用于輕度混合動力汽車和電池......
EPC新推由氮化鎵場效應(yīng)晶體管驅(qū)動且可擴(kuò)展的DC/DC演示板(2021-05-14)
EPC新推由氮化鎵場效應(yīng)晶體管驅(qū)動且可擴(kuò)展的DC/DC演示板;EPC9137是一款兩相的48 V/12 V雙向轉(zhuǎn)換器，以小型化解決方案提供1.5 kW功率，效率為97%，適用于輕度混合動力汽車和電池......
NXP為采埃孚下一代SiC MOSFET提供驅(qū)動(2024-06-25)
了比硅更快的開關(guān)速度、更低的傳導(dǎo)損耗和更好的熱性能。
每個 IGBT 和 MOSFET 的前端都有一個充當(dāng)電容器的柵極。必須充滿電才能“打開”功率晶體管，從而允許電流在漏極和源極之間流動。相反，耗盡......
Nexperia建立新的特定型應(yīng)用FET類別以優(yōu)化性能(2020-10-22)
品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900......
MOSFET開關(guān)損耗簡介(2024-04-30)
MOSFET開關(guān)損耗簡介;本文將通過解釋功耗的重要來源來幫助您優(yōu)化開關(guān)模式調(diào)節(jié)器和驅(qū)動器電路。本文引用地址：的工作可以分為兩種基本模式：線性和開關(guān)。在線性模式中，晶體管......
Nexperia發(fā)布具備市場領(lǐng)先效率的晶圓級12和30V?MOSFET(2022-07-27)
生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體二極管件的專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia......
認(rèn)證的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）EPC2252，為設(shè)計人員提供比硅 MOSFET 更小和更高效的解決方案，用于車規(guī)級激光雷達(dá)、48 V/12 V DC/DC轉(zhuǎn)換和低電感電機(jī)驅(qū)動器。
作為......
【泰克應(yīng)用分享】 FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
傳感器基于MOSFET或金屬氧化物半導(dǎo)體FET，這是一個帶有絕緣柵極的三端或四端FET。
圖3顯示了一個n溝道MOSFET或nMOS晶體管，具有四個端子：柵極、漏極、源極和體極（塊體）。源極......
采用EPC新型車規(guī)級GaN FET設(shè)計更高分辨率激光雷達(dá)系統(tǒng)(2023-02-07 11:58)
采用EPC新型車規(guī)級GaN FET設(shè)計更高分辨率激光雷達(dá)系統(tǒng);以實現(xiàn)更先進(jìn)的自主式系統(tǒng)EPC推出 80 V、通過AEC-Q101 認(rèn)證的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）EPC2252，為設(shè)......
采用EPC新型車規(guī)級GaN FET設(shè)計更高分辨率激光雷達(dá)系統(tǒng) 以實現(xiàn)更先進(jìn)的自主式系統(tǒng);EPC推出?80 V、通過AEC-Q101?認(rèn)證的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）EPC2252，為設(shè)......
還在為用氮化鎵設(shè)計高壓電源犯難？試試這兩個器件(2023-03-29)
轉(zhuǎn)換效率和功率密度是設(shè)計成功的關(guān)鍵。本文引用地址：
為了滿足這些要求，開關(guān)模式電源系統(tǒng)的設(shè)計者需要從使用傳統(tǒng)的硅 (Si) 基金屬氧化物場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 轉(zhuǎn)為使用其它器件，因為......
半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC......
Nexperia推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET?(ASFET)新產(chǎn)品組合(2022-05-12)
品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年......
EPC推出80V、通過AEC-Q101認(rèn)證的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(2023-02-07)
EPC推出80V、通過AEC-Q101認(rèn)證的氮化鎵場效應(yīng)晶體管;
【導(dǎo)讀】EPC推出 80 V、通過AEC-Q101 認(rèn)證的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）EPC2252，為設(shè)......
Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設(shè)計性能(2024-01-30)
宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新......
Qorvo 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設(shè)計性能(2024-01-30 14:48)
Qorvo 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設(shè)計性能;全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET......
無刷直流電機(jī)的電流換向電路 無刷直流電機(jī)的三相全橋驅(qū)動電路(2023-03-20)
直流電機(jī)之所以既只用直流電，又不用電刷，是因為外部有個電路來專門控制它各線圈的通電。這個電流換向電路最主要的部件是FET(場效應(yīng)晶體管，F(xiàn)ield-EffectTransitor)?？梢园?font color='#FC5C18'>FET看作......
請問一下IGBT是如何實現(xiàn)電路控制的？(2024-06-14)
（MOSFET）的高電流單柵控制特性及雙極性晶體管的低飽和電壓的能力，在單一的IGBT器件里，會透過把一個隔離的場效應(yīng)晶體管（FET）結(jié)合，作為其控制輸入，并以雙極性晶體管......
Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設(shè)計(2024-01-30)
宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L?封裝中實現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ?導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V ?作為 ?全新引腳兼容 ?系列......
如何利用 SiC 打造更好的電動車牽引逆變器(2024-07-23)
投入到電動車研發(fā)中，設(shè)法找到最有效的技術(shù)來盡可能提高能效、降低體積和重量以及盡可能從昂貴的電池組中獲益，從而延長單次充電行駛里程。這讓?SiC?晶體管迅速進(jìn)入電動車的車載充電器和直流轉(zhuǎn)換器中。鑒于牽引逆變器處理 10......
GaN和SiC在電動汽車中的應(yīng)用(2024-01-24)
氣轉(zhuǎn)換過程中提取熱量變得更具挑戰(zhàn)性，散熱問題也重新進(jìn)入到要專業(yè)解決方案的狀態(tài)，但這帶來的是數(shù)倍的功率密度，這對電動汽車來說是十分值得的。
就電動汽車而言，牽引逆變器可以節(jié)省大部分電力，其中SiC FET 可以取代絕緣柵雙極晶體管......
基于FET的100W音頻放大器電路圖(2024-04-19)
基于FET的100W音頻放大器電路圖;該 100W?音頻放大器設(shè)計采用兩個 V-MOSFET?晶體管技術(shù)作為輸出級，可在 4 Ω 負(fù)載下提供 100W 輸出。重要的是，通過添加散熱器或風(fēng)扇等方式使輸出級的晶體管......
品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年......
EPC與MPS合作開發(fā)推出更高效、更小、更快的EPC9165雙向轉(zhuǎn)換器(2022-01-26)
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關(guān)于EPC
宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?）的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商，氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目......
牽引逆變器 – 汽車電氣化的推動力(2022-12-23)
級包括一個高壓直流總線，該總線通過一個與 IGBT 或 SiC MOSFET 等功率晶體管的三個相位相連的大電容器組去耦。功率級應(yīng)該在將直流電壓轉(zhuǎn)換為交流時具有極小的功率損耗，并且尺寸較小，以便高效地使用電池......
牽引逆變器 – 汽車電氣化的推動力(2024-07-16)
牽引逆變器尺寸的因素有以下兩個：高電壓晶體管的類型，以及電池的電壓電平。與具有相同額定電壓的 IGBT 相比，SiC MOSFET 具有更低的開關(guān)損耗和更小的裸片尺寸，因此......
EPC新推80 V和200 V eGaN?FET,進(jìn)一步擴(kuò)大其高性能氮化鎵產(chǎn)品陣容;宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）是增強(qiáng)型硅基氮化鎵 (eGaN) 功率 晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者。新推......
有符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的管腳尺寸。雙極性晶體管應(yīng)用廣泛，如LED汽車照明系統(tǒng)；LCD顯示器中的背光燈調(diào)光；線性穩(wěn)壓器；繼電器替代產(chǎn)品、電機(jī)驅(qū)動和?MOSFET?驅(qū)動器。
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Nexperia的產(chǎn)......
英飛凌全新一代氮化鎵產(chǎn)品重磅發(fā)布，電壓覆蓋700V！(2024-12-09 10:26)
英飛凌肖特基柵極氮化鎵自主技術(shù)的常閉單片雙向開關(guān)，能阻斷兩個方向的電壓，并且通過單柵極共源極的設(shè)計進(jìn)行了優(yōu)化，以取代電池供電消費產(chǎn)品中用作斷開開關(guān)的背對背MOSFET? 相比背對背硅FET，使用40V GaN BDS的優(yōu)點包括節(jié)省50%-75%的PCB......
Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被?Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應(yīng)晶體管......
Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被?Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應(yīng)晶體管......
Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被?Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應(yīng)晶體管......
LT8673數(shù)據(jù)手冊和產(chǎn)品信息(2024-11-11 09:21:06)
含兩個電壓監(jiān)控保護(hù)引腳，以使用外部電阻分壓器和 ADC（模數(shù)轉(zhuǎn)換器）安全地檢測電池電壓。高度集成的比較器和有源整流器解決方案大大簡化了物料清單 (BOM)，并縮小了印刷電路板 (PCB) 面積。該控制器驅(qū)動一個外部 N 通道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管......
品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年......
Nexperia發(fā)布P溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的堅固LFPAK56封裝(2020-05-08)
半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏......
Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN?MOSFET(2022-07-06)
-MOSFETs
關(guān)于Nexperia
Nexperia，作為生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體二極管件的專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)二極管件、MOSFET......
選擇合適的集成度來滿足電機(jī)設(shè)計要求(2023-06-13)
電機(jī)狀態(tài)的反饋，并發(fā)送信號來調(diào)節(jié)電機(jī)的扭矩、位置和速度。柵極驅(qū)動器將來自 MCU 的信號放大，以驅(qū)動電機(jī)的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。
?
圖 1：基本電機(jī)控制方框圖
您可以使用 BJT......
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%(2020-04-23)
關(guān)于Nexperia
Nexperia，作為半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管......
半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC......
基礎(chǔ)知識之晶體管(2024-03-21)
。
FET
Field Effect Transistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。
接合型FET多用于音頻設(shè)備等的模擬電路中，MOS型FET主要......
Nexperia位于曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動，首批產(chǎn)品為行業(yè)領(lǐng)先的Qrr品質(zhì)因數(shù)80?V/100?V?MOSFET(2021-06-24)
生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC......
正確選擇MOSFET以優(yōu)化電源效率(2023-03-27)
下找到電路中的最小損耗點。設(shè)計人員在選擇 MOSFET 比率時必須牢記這些規(guī)范。
圖 8：最佳效率的比較
結(jié)語 MOSFET 的選擇與電路效率密切相關(guān)，而精確的數(shù)學(xué)模型可以簡化 MOSFET 晶體管......
及通訊科技）產(chǎn)業(yè)。
晶體管
另外晶體管也是本次推出產(chǎn)品之一，包括高-VDSS?MOSFET—TKxx系列，低-VDSS?MOSFET—TPCA系列以及小信號MOSFET: SSM系列......
談一談現(xiàn)行穩(wěn)壓器和開關(guān)穩(wěn)壓器的區(qū)別(2024-04-22)
著的電壓降低到升壓和升降壓等各種拓?fù)洹?
開關(guān)穩(wěn)壓器
開關(guān)穩(wěn)壓器使用電源開關(guān)、電感器和二極管將能量從輸入傳輸?shù)捷敵霾⒄{(diào)節(jié)電壓。 它們通過電源開關(guān)（通常是場效應(yīng)晶體管（FET），并由......
于移動設(shè)備USB端口、電池管理系統(tǒng)、逆變器和整流器等。CoolGaN? Smart Sense 產(chǎn)品具有無損電流檢測功能，簡化了設(shè)計并進(jìn)一步降低了功率損耗，同時將各種晶體管開關(guān)功能集成到一個封裝中，適用......
Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應(yīng)用MOSFET(2022-11-18)
品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部......
Nexperia首次推出 用于48 V汽車和其他更高電壓總線電路的80 V RET(2021-01-12)
器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。其產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面......
車規(guī)級氮化鎵ToF可在28A并具1.2ns脈寬的脈沖電流驅(qū)動激光(2020-01-14)
測物件的速度及準(zhǔn)確性非常重要。EPC9144演示板展示出通過AECQ101認(rèn)證的車規(guī)級EPC2216氮化鎵場效應(yīng)晶體管具備快速轉(zhuǎn)換性能，與等效MOSFET相比，EPC2216的功率脈沖可以快速10倍的......
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;蒼南INT;;蒼南INT 從國際知名品牌獲得半導(dǎo)體原材料：IC，二極管，晶體管，FET ，Mos管等。代理供貨商為Didoes ,Atmel,Vishay,Dialog,Little fuse
和FET,功率雙極晶體管和FET, IGBT, etc） h. 二極管（整流、齊納、開關(guān)二極管,SBD,變?nèi)荻O管,etc） i. 晶閘管/可控硅 II 羅姆電子 a. ASSP（音視頻用IC
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電源、電焊機(jī)、儀器儀表、汽車電子等領(lǐng)域的推廣，服務(wù)與銷售。 代理產(chǎn)品線： ROHM（羅姆）半導(dǎo)體：電源管理IC；MOSFET；晶體管（包括：雙極晶體管，復(fù)合晶體管，數(shù)字晶體管）；二極管（包括：肖特
,鋰離子電池保護(hù)，充電控制，MOSFET/IGBT驅(qū)動，78/79系列，LDO，電壓參考，電壓監(jiān)控分立器件：功率晶體管，達(dá)林頓管，MOSFET，IGBT，小信號,整流,穩(wěn)壓,肖特基,調(diào)諧二極管，可控
樁、變頻器、逆變器、BMS電池保護(hù)板及通信等領(lǐng)域 ◆?RENESAS（瑞薩）?MCU?RL78?78K?RX?RH850?RZ?等系列 ◆?TOSHIBA（東芝）?功率MOSFET?二極管?晶體管?光電
管 晶體管 光電半導(dǎo)體 通用線性IC ◆FUJI（富士電機(jī)） 功率MOSFET 電源控制IC 功率半導(dǎo)體（IGBT） 整流二極管 ◆德國EPCOS（愛普科斯） 氣體放電管 Surge Arresters
;易信通科技有限公司;;深圳市易信通科技有限公司是一家MOS-FET(場效應(yīng)晶體管)銷售的專家,現(xiàn)推出臺灣茂鈿半導(dǎo)體股份有限(WWW.MTSEMI.COM)公司全線產(chǎn)品.產(chǎn)品主要有MT2300
日本的物流和基礎(chǔ)設(shè)施問題導(dǎo)致硅供應(yīng)中斷，不僅會影響NAND閃存、DRAM、微控制器、標(biāo)準(zhǔn)邏輯、LCD面板和LCD元件，而且會影響分立器件等產(chǎn)品，如MOSFET、雙極晶體管和小信號晶體管。 本文來自維庫電子市場網(wǎng) http