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資訊
垂直GaN JFET的動態(tài)性能(2024-01-02)
垂直GaN JFET的動態(tài)性能;美國弗吉尼亞理工學(xué)院、州立大學(xué)和NexGen電力系統(tǒng)公司首次對垂直（GaN）功率晶體管的動態(tài)電阻（?RON）和閾值電壓（VTH）穩(wěn)定性進(jìn)行了實驗表征。研究......
安森美斥資1.15億美元收購Qorvo旗下SiC JFET技術(shù)(2024-12-11)
安森美斥資1.15億美元收購Qorvo旗下SiC JFET技術(shù);近日，onsemi（安森美）宣布，已達(dá)成一項協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金從Qorvo收購碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）技術(shù)......
革新電路保護(hù)：Qorvo 4mΩ SiC JFET 助力固態(tài)斷路器升級(2024-09-09)
革新電路保護(hù)：Qorvo 4mΩ SiC JFET 助力固態(tài)斷路器升級;
【導(dǎo)讀】Qorvo推出了一款750V、4毫歐（mΩ）碳化硅（SiC）結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）產(chǎn)品；其采......
采樣保持電路工作原理+電路案例(2024-11-20 12:53:06)
單的采樣保持電路
Vs：輸出信號
C：電容
S：作為開關(guān)工作的 MOS 晶體管
Va：輸入......
）今日宣布，率先在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）——UJ4N075004L8S。該產(chǎn)......
Qorvo E1B SiC模塊：成就高效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的秘密武器(2024-06-20)
替換為能夠大幅降低導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)變得更具價值。對此，結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）結(jié)構(gòu)提供了關(guān)鍵優(yōu)勢。它具有概念上更簡單的結(jié)構(gòu)（如圖2中右下部分所示）；此外，得益于載流子無需先通過類似MOSFET的溝......
碳化硅大廠買下一座晶圓廠，并收購一家SiC公司(2024-12-26)
JFET技術(shù)及子公司
另外值得注意的是，12月10日，安森美宣布，已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，將以1.15億美元現(xiàn)金收購碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）技術(shù)業(yè)務(wù)，以及包括Qorvo子公......
半導(dǎo)體領(lǐng)域新增并購案(2024-12-12 12:41:54)
美”消息，該公司已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元（約合人民幣8.36億元）現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。不過......
CS5525/CS5526 A/D轉(zhuǎn)換器針對熱電偶測量優(yōu)化設(shè)計(2023-05-24)
用于開關(guān)小于±250 mV的信號，則泄漏電流（25?C）將為超皮安。
圖3示出了使用增強(qiáng)模式晶體管開關(guān)作為模擬開關(guān)的示例。圖示了SD5400-2四路DMOS開關(guān)（SD5000-2，SD-5200-2和......
革新電路保護(hù)：Qorvo 4mΩ SiC JFET 助力固態(tài)斷路器升級(2024-09-11 09:36)
革新電路保護(hù)：Qorvo 4mΩ SiC JFET 助力固態(tài)斷路器升級;Qorvo推出了一款750V、4毫歐（mΩ）碳化硅（SiC）結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）產(chǎn)品；其采......
PM155S數(shù)據(jù)手冊和產(chǎn)品信息(2024-11-11 09:18:32)
PM155S數(shù)據(jù)手冊和產(chǎn)品信息;PM155提供低輸入電流、高壓擺率特性，可以直接與LF155型放大器互換使用。這款運(yùn)算放大器采用新型工藝，匹配的JFET晶體管和標(biāo)準(zhǔn)雙極性晶體管......
? 今日宣布，率先在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）——UJ4N075004L8S。該產(chǎn)......
QSPICE發(fā)明者隨筆——利用寬帶隙FET簡化高壓調(diào)節(jié)(2023-09-27)
QSPICE發(fā)明者隨筆——利用寬帶隙FET簡化高壓調(diào)節(jié);Charley Moser擁有EE博士學(xué)位，是我最早的模擬設(shè)計導(dǎo)師之一。從他那里，我學(xué)到了很多知識——混合pi晶體管建模、用于......
羅姆（ROHM）第4代：技術(shù)回顧(2023-01-31)
化硅溝槽側(cè)壁上制備的柵極具有更高的溝道遷移率，這意味著與平面器件相比，電子穿過溝槽柵極的阻礙較少。這能降低溝道電阻。其次，溝槽式金氧半場效晶體管可能消除平面金氧半場效晶體管的JFET電阻，在該區(qū)域中，來自......
羅姆（ROHM）第4代：技術(shù)回顧(2023-01-31)
入業(yè)界以來，他領(lǐng)導(dǎo)了新型硅絕緣柵雙極型晶體管產(chǎn)品線研發(fā)，并發(fā)起了一個在電路保護(hù)應(yīng)用中使用碳化硅JFET的研發(fā)項目。他于2020年加入TechInsights并成為功率半導(dǎo)體器件的學(xué)科專家，同時持續(xù)了解整個行業(yè)的最新發(fā)展。
......
羅姆（ROHM）第4代：技術(shù)回顧(2023-02-01)
羅姆（ROHM）第4代：技術(shù)回顧;今年發(fā)布了他們的第4代（Gen4）金氧半場效晶體管（）產(chǎn)品。新系列包括額定電壓為750 V（從650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半場效晶體管，以及......
Qorvo推出采用 TOLL 封裝的 750V 4mΩ SiC JFET，推動斷路器技術(shù)的革命性變革(2024-06-13 09:50)
在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）——UJ4N075004L8S。該產(chǎn)品專為包括固態(tài)斷路器在內(nèi)的電路保護(hù)應(yīng)用而設(shè)計，UJ4N075004L8S 所具......
Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設(shè)計(2024-01-30)
宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L?封裝中實現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ?導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V ?作為 ?全新引腳兼容 ?系列......
Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設(shè)計性能(2024-01-30)
宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新......
Qorvo 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設(shè)計性能(2024-01-30 14:48)
Qorvo 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設(shè)計性能;全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET......
一文看懂3D晶體管(2016-11-01)
是一種類似三明治的場效應(yīng)晶體管，它在接面處沒有使用氧化物隔開閘極，音響迷一定不陌生， JFET的推動力大，線性高對高頻反應(yīng)又不良，是非常良好的音響用放大器材料。讀者若想看到實體物品，走一......
超共源共柵簡史(2023-03-29)
供出色的功率和零干擾接收性能，同時還內(nèi)置了全向天線”。甚至有一個帶電線的遙控器。如今，超共源共柵另有含義。從 1939 年的管式穩(wěn)壓器，到早期的音頻放大器，再到高電壓應(yīng)用中的雙極晶體管堆棧，我們可以了解到這個詞的起源。目前......
如何利用 SiC 打造更好的電動車牽引逆變器(2024-07-23)
投入到電動車研發(fā)中，設(shè)法找到最有效的技術(shù)來盡可能提高能效、降低體積和重量以及盡可能從昂貴的電池組中獲益，從而延長單次充電行駛里程。這讓?SiC?晶體管迅速進(jìn)入電動車的車載充電器和直流轉(zhuǎn)換器中。鑒于牽引逆變器處理 10......
ADA4625-1數(shù)據(jù)手冊和產(chǎn)品信息(2024-11-11 09:18:09)
ADA4625-1數(shù)據(jù)手冊和產(chǎn)品信息;UG-1201 介紹了用于 ADA4625-1 低噪聲、快速穩(wěn)定單電源軌到軌輸出 (RRO) 結(jié)型場效應(yīng)晶體管 (JFET) 運(yùn)算放大器的評估板，此評......
大規(guī)模商用在即，回顧SiC器件的前世今生(2017-08-28)
相形勝出
第一款向市場投放的碳化硅功率電晶體是在2008年，以1,200伏結(jié)場效應(yīng)電晶體(JFET)的形式出現(xiàn)的。SemiSouth實驗室遵循了JFET的方法，因為當(dāng)時，雙極結(jié)晶體管(BJT)和......
東芝在SiC和GaN的技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng)新(2023-10-17)
降低的精度，因為這取決于分流電阻。雖然現(xiàn)今的技術(shù)可實現(xiàn)高精度電流傳感器，但卻無法降低損耗。
東芝的新技術(shù)采用級聯(lián)共源共柵，將低壓金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）與GaN 場效應(yīng)晶體管......
Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被?Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應(yīng)晶體管......
Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被?Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應(yīng)晶體管......
Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被?Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應(yīng)晶體管......
三菱電機(jī)開始提供工業(yè)設(shè)備用NX封裝全SiC功率半導(dǎo)體模塊樣品(2023-06-15)
Transistor)：結(jié)型場效應(yīng)晶體管
*3：RoHS: Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical......
人員可以選擇符合其系統(tǒng)要求的放大器架構(gòu)，其輸入電壓、帶寬和關(guān)鍵特性分別如下：
：27V結(jié)型柵場效應(yīng)晶體管（JFET）輸入雙運(yùn)算放大器（op amp），120MHz帶寬，500μV最大......
什么是 DC-DC升壓電路？DC-DC升壓模塊原理？(2024-06-21)
MOSFET或JFET 開關(guān)晶體管
PWM 源，如Arduino Uno或555 定時器，可生成 50KHz、5V、75% 占空比
2、DC-DC 升壓電路工作原理圖
DC-DC 升壓電路......
還搞不懂DC-DC升壓原理？一定要這一文，案例+圖文，輕松搞定(2024-11-20 12:53:06)
一個 MOSFET或JFET 開關(guān)晶體管
PWM 源，如Arduino Uno或555 定時器，可生成 50KHz、5V、75% 占空......
安捷倫推出面向功率電路設(shè)計的功率器件電容分析儀(2014-07-11)
直到現(xiàn)在行業(yè)中還沒有哪種解決方案能夠全面測試其在各種工作電壓下的電容性能。B1507A 將會填補(bǔ)這一空白，對功率器件執(zhí)行完整、可靠、自動化的電容測試?！?
B1507A 的關(guān)鍵特性包括：
·易于使用，能夠?qū)Ω咂秒妷合碌?font color='#FC5C18'>晶體管輸入、輸出和反向傳輸電容（Ciss......
MOS管基礎(chǔ)及選型指南(2024-03-20)
MOS管基礎(chǔ)及選型指南;，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導(dǎo)體（Semiconductor）場效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。本文引用地址：
和普通雙極型晶體管......
Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FET(2023-03-21)
中，Qorvo 的器件具有最低 5.4 mΩ 的導(dǎo)通電阻，比目前市場同類產(chǎn)品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶體管的導(dǎo)通阻抗還要低上 4-10 倍。 的 750V 額定......
元市場規(guī)模。傳統(tǒng)的硅基設(shè)備（包括整流器、晶閘管、雙極型晶體管、X-FET如MOSFET、JFET等、IGBT模塊及IPM）在某些應(yīng)用中會有所增長，但在其他市場正逐步被寬帶隙（WBG）技術(shù)......
TechInsights對于“碳化硅JFETs原子探針層析成像”的探討(2022-12-07)
CAMECA LEAP 4000X HR
目標(biāo)分析器件–UnitedSiC第四代SiC JFET
UnitedSiC UJ4C075018K4S的額定電壓為750 V，導(dǎo)通電阻（RDS.（ON））為18mΩ......
TechInsights對于“碳化硅JFETs原子探針層析成像”的探討(2022-12-07)
4000X HR
目標(biāo)分析器件–UnitedSiC第四代SiC JFET
UnitedSiC UJ4C075018K4S的額定電壓為750 V，導(dǎo)通電阻(RDS.(ON))為18mΩ......
一文解析MOS管/三極管/IGBT之間的關(guān)系(2024-11-09 00:48:11)
須對這三者的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理有大致的了解。
BJT
雙極性晶體管，俗稱三極管。內(nèi)部結(jié)構(gòu)(以PNP型BJT為例)如下圖所示。
BJT內(nèi)部......
Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs(2023-03-21)
前市場同類產(chǎn)品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶體管的導(dǎo)通阻抗還要低上 4-10 倍。SiC FETs 的 750V 額定電壓也比其它的一些替代技術(shù)高100-150V......
TechInsights對于“碳化硅JFETs原子探針層析成像”的探討(2022-12-07)
個表中還顯示了每次實驗測定的Si、C和Al含量。?
表1：由APT確定的JFET門區(qū)成分
值得注意的是，APT重構(gòu)揭示了Al在柵極區(qū)域內(nèi)的極不均勻分布，這表明它與SiC中的晶體缺陷分離（圖5）。這些......
恒流二極管是什么鬼？(2024-05-07)
二極管的功能是為電路提供短路保護(hù)。
▲ 圖1.1 恒流二極管的符號
二、恒流二極管工作原理
恒流二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示。該二極管包括一個 N 溝道 JFET 晶體管，其中晶體管......
高壓SiC MOSFET研究現(xiàn)狀與展望(2023-02-06)
高壓SiC MOSFET研究現(xiàn)狀與展望;碳化硅（）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（）作為寬禁帶半導(dǎo)體單極型功率 器件，具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢，在高壓應(yīng)用領(lǐng)域需求廣泛，具有巨大的研究價值?；仡?.....
雙運(yùn)放電流源的基本操作(2024-01-03)
合，成為 SiC?晶體管領(lǐng)域的基準(zhǔn)。該設(shè)計的特殊功能包括通過自對準(zhǔn)工藝將通道定向為單一晶體取向。這確保了的溝道遷移率和窄的閾值電壓分布。另一個特點(diǎn)是深 p 溝槽在中心與實際 MOS 溝槽相交，以允......
電動機(jī)控制應(yīng)用三種不同的dV/dt控制方法(2022-12-20)
能會使性能受損 ? 有些方法可以將SiC FET器件的dV/dt有效控制在從45V/ns至5V/ns的范圍內(nèi)，而不會導(dǎo)致過長的延遲時間。這三種方法是：外部柵漏電容、器件RC緩沖電路和JFET直接驅(qū)動，它們......
Qorvo 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5．4mΩ 750V SiC FETs(2023-03-21 14:18)
，在 TOLL 封裝中，Qorvo 的器件具有最低 5.4 mΩ 的導(dǎo)通電阻，比目前市場同類產(chǎn)品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶體管的導(dǎo)通阻抗還要低上 4-10......
國家隊加持，芯片制造關(guān)鍵技術(shù)首次突破(2024-09-02)
電場緩和技術(shù)的溝槽柵極半導(dǎo)體器件，提高了每個芯片的輸出，因為它們減少了由發(fā)熱引起的功率損耗，獨(dú)特的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了高電壓和低導(dǎo)通電阻操作。
住友電工
住友電工利用獨(dú)特的晶面新開發(fā)了V形槽溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管......
斥資1.15億美元，安森美宣布收購Qorvo SiC JFET業(yè)務(wù)(2024-12-13)
斥資1.15億美元，安森美宣布收購Qorvo SiC JFET業(yè)務(wù);這一收購將顯著提升安森美在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的市場地位，并增強(qiáng)其在電動汽車、工業(yè)電源和可再生能源市場的競爭力。
據(jù)官方新聞稿線上，安森......
妙趣橫生的電子小知識 第1篇：初識晶體管(2023-03-06)
妙趣橫生的電子小知識 第1篇：初識晶體管;本系列連載將介紹電力電子相關(guān)的基礎(chǔ)知識和各種小知識。本系列涉及到的內(nèi)容很廣泛，涵蓋從基礎(chǔ)知識到應(yīng)用部分的豐富內(nèi)容，希望能夠幫到那些“至今不好意思問別人，但又......
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;安丘市科威電子有限公司;;我公司已有13年半導(dǎo)體器件生產(chǎn)歷史,設(shè)備先進(jìn),測試儀器齊全,例行實驗設(shè)施完善。主要產(chǎn)品有:１．ＮＰＮ硅低頻大功率晶體管 3DD1-3DD12,3DD21
;東莞燦域電子有限公司;;我司是一家生產(chǎn)代理.二三極管 .產(chǎn)品系列有各種封裝的 晶體管 場效應(yīng)管 可控蛙 三端穩(wěn)壓IC等品種達(dá)800遇種. 產(chǎn)品用于;顯示器 電源 音響 電話機(jī) 電腦 玩具 節(jié)能
;szwtron;;分布式組件、集成電路、電子組件、被動組件等。主動組件：小信號晶體管、功率晶體管、場效應(yīng)晶體管、IGBT、線性IC、邏輯處理IC、LCD驅(qū)動IC、、MP3IC、DVDIC、工業(yè)
主要產(chǎn)品是江蘇供應(yīng)長電全系列二/三極管，晶體管，MOS管，壓敏電阻，TVS管，整流管，穩(wěn)壓管，雙晶體管，數(shù)字晶體管，鎮(zhèn)流器專用開關(guān)晶體管等被動元器件。 公司秉承想客戶之所想，急客戶之所急的經(jīng)營思路，快速，高效，靈活
類電子元器件，主要產(chǎn)品包括：高頻中、小功率晶體管、玻璃封裝硅功率二極管、高壓硅堆、單相、三相橋式硅整流器、高頻大功率晶體管、低頻大功率PNP、NPN晶體管、功率晶體開關(guān)管、達(dá)林頓PNP、NPN功率晶體管、功率MOS
;深圳市雄基電子器材有限公司;;是深圳老牌的電子產(chǎn)品供應(yīng)商，公司位于華強(qiáng)北電子大廈。主要產(chǎn)品：穩(wěn)壓電路 .穩(wěn)壓二極管 1瓦 . 集成電路 . 穩(wěn)壓二極管 .To-92雙極型晶體管 . 貼片
;瀚博（香港）集團(tuán)有限公司;;瀚博集團(tuán)有限公司是專業(yè)提供被動電子元器件供應(yīng)商。致力為您提供專業(yè)化的服務(wù)。全面滿足廣大用戶多方位的需求。公司主要產(chǎn)品是全系列二/三極管，晶體管，MOS管，TVS管，整流
;瀚博集團(tuán)有限公司;;瀚博集團(tuán)有限公司是專業(yè)提供被動電子元器件供應(yīng)商。致力為您提供專業(yè)化的服務(wù)。全面滿足廣大用戶多方位的需求。公司主要產(chǎn)品是全系列二/三極管，晶體管，MOS管，壓敏電阻，TVS管
;安丘市中惠電子有限公司;;安丘市中惠電子有限公司，毗鄰美麗的世界風(fēng)箏都－濰坊，是國內(nèi)生產(chǎn)半導(dǎo)體分離器件的專業(yè)廠家。主要生產(chǎn)高、低頻大功率晶體管，高頻小功率晶體管，高反壓大功率晶體管、三極管、達(dá)琳頓晶體管
;深圳市柏迪佳電子科技有限公司;;專業(yè)經(jīng)銷2N系列;2SA系列;2SB系列;2SC系列;2SD系列;BD&;BU系列;MJ系列;MJE系列;TIP系列;高反壓系列晶體管;Hi-Fi功放對管;S系列晶體管