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- 晶體管 - IGBT - 陣列
晶體管是控制電路中電流流動(dòng)的電子設(shè)備。絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種高效、快速切換的三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作放大器和開(kāi)關(guān)。晶體管陣列是一種產(chǎn)品，其中使用高壓/大電流晶體管和DMOS FET的多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路排列在一個(gè)IC封裝中。分立半導(dǎo)體產(chǎn)品提供在線銷(xiāo)售的IGBT陣列。Littelfuse IGBT H Bridge 1700V的最低訂購(gòu)量為1，而Littelfuses IGBT H Bridge 1200V的最低訂購(gòu)數(shù)量為20。PNEDA還提供晶體管-IGBT-陣列的數(shù)據(jù)表、庫(kù)存和價(jià)格。
延伸閱讀
- igbt模塊功放
- igbt電源模塊
- igbt驅(qū)動(dòng)芯片選型
- igbt驅(qū)動(dòng)損耗計(jì)算
- 晶體管 - IGBT - 模塊
- 晶體管 - IGBT - 單
- igbt 芯片
- IGBT芯片
- igbt領(lǐng)軍企業(yè)
資訊
請(qǐng)問(wèn)一下IGBT是如何實(shí)現(xiàn)電路控制的？(2024-06-14)
請(qǐng)問(wèn)一下IGBT是如何實(shí)現(xiàn)電路控制的？;絕緣柵雙極晶體管（英語(yǔ)：Insulated Gate Bipolar Transistor,?IGBT），是半導(dǎo)體器件的一種，主要用于新能源電動(dòng)汽車(chē)、及電......
基礎(chǔ)知識(shí)之IGBT(2024-03-22)
基礎(chǔ)知識(shí)之IGBT;什么是(絕緣柵雙極晶體管)？
是 “Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母縮寫(xiě)，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。 被歸類(lèi)為元器件晶體管領(lǐng)域。本文......
新能源汽車(chē)解析丨什么是IGBT？結(jié)構(gòu)與拆解(2023-10-08)
新能源汽車(chē)解析丨什么是IGBT？結(jié)構(gòu)與拆解;IGBT?（絕緣柵雙極晶體管）作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車(chē)和新能源裝備等領(lǐng)域。具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)......
今年功率晶體管銷(xiāo)售額可望達(dá)到245億美元，增長(zhǎng)11%(2022-10-12)
（IGBT）。
在2019年下半年進(jìn)口IGBT就出現(xiàn)缺貨現(xiàn)象，MOSFET也在2020年初伴隨著新冠肺炎暴發(fā)進(jìn)入缺貨周期。
自2021年以來(lái)，功率晶體管的價(jià)格一路走高，國(guó)內(nèi)......
并自行完成晶圓制造與封裝測(cè)試的 IGBT 元件。目前該 IGBT 元件通過(guò)用戶試用，預(yù)計(jì)今年年內(nèi)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。?(IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor，即絕緣柵雙極型晶體管）
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據(jù)悉，重慶......
如何用萬(wàn)用表測(cè)試MOSFET(2024-04-03)
如何用萬(wàn)用表測(cè)試MOSFET;介紹：
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）晶體管是一種廣泛用于電子設(shè)備中開(kāi)關(guān)和放大電子信號(hào)的半導(dǎo)體器件。
MOSFET 是一種四端子器件，具有......
功率半導(dǎo)體市場(chǎng)放緩，報(bào)告稱中國(guó)大陸企業(yè)轉(zhuǎn)向 12 英寸晶圓和 IGBT 晶體管;11 月 28 日消息，根據(jù)集邦咨詢發(fā)布的最新報(bào)告，在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)減速的大背景下，中國(guó)大陸企業(yè)在 12 英寸......
意法半導(dǎo)體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效(2023-09-11)
意法半導(dǎo)體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效;STPOWER IH2面向工業(yè)和電磁加熱應(yīng)用
2023 年 9 月 11 日，中國(guó) – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管......
傳動(dòng)等領(lǐng)域。
IGBT 是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車(chē)與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。
IGBT 模塊是由 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管......
測(cè)到理論預(yù)測(cè)下的肖特基勢(shì)壘高度調(diào)控行為。進(jìn)一步，通過(guò)選擇功函數(shù)匹配的金屬電極，成功制備出低接觸電阻的MoS2晶體管器件陣列。MoS2晶體管器件陣列具有良好的性能一致性，開(kāi)關(guān)比超過(guò)106。?
隨著......
3.3V和1.8V電平轉(zhuǎn)換——電平轉(zhuǎn)換芯片(2024-11-21 14:19:56)
進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換，優(yōu)點(diǎn)是速率可以做快一些。
1.1、TVC原理
這些TVC器件可用于晶體管陣列轉(zhuǎn)換。器件
不需......
下一代電動(dòng)汽車(chē)充電的熱管理技術(shù)(2024-08-22)
充電器可以輕松集成更多元器件，從而提高電流吞吐量和工作電壓。這些充電器利用尖端的半導(dǎo)體器件、濾波器和功率電阻器來(lái)進(jìn)行電源整流，所有這些過(guò)程都會(huì)產(chǎn)生大量的熱量。雖然濾波器和電阻器是不可忽視的熱量來(lái)源，但電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)中最大的熱量來(lái)源則是絕緣柵雙極晶體管......
Ameya360：平面MOSFET與超級(jí)結(jié)MOSFET區(qū)別(2023-03-13)
-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。因?yàn)榻酉聛?lái)的幾篇將談相關(guān)的話題，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎(chǔ)上，根據(jù)其特征和特性對(duì)使用區(qū)分有個(gè)初步印象。
下圖表示處理各功率晶體管......
變頻器的30個(gè)基礎(chǔ)知識(shí)（一）(2024-04-03)
逆變器部分的存在是 VFD 和直流驅(qū)動(dòng)器之間的主要區(qū)別。
4.什么是變頻器中的 IGBT？
隔離柵雙極晶體管 (IGBT) 是電子驅(qū)動(dòng)非常快的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。通過(guò)在 IGBT 的柵......
變頻器的30個(gè)基礎(chǔ)知識(shí)（之一）(2024-03-28)
器本身有時(shí)被稱為逆變器，因?yàn)槟孀兤鞑糠值拇嬖谑?VFD 和直流驅(qū)動(dòng)器之間的主要區(qū)別。
4.什么是變頻器中的 IGBT？
隔離柵雙極晶體管 (IGBT) 是電子驅(qū)動(dòng)非?？斓陌雽?dǎo)體開(kāi)關(guān)。通過(guò)在 IGBT 的柵......
儲(chǔ)能系統(tǒng)的關(guān)鍵零部件——IGBT介紹(2024-10-08 17:04:04)
合計(jì)構(gòu)成電化學(xué)儲(chǔ)能系統(tǒng)成本的80%，其中儲(chǔ)能逆變器占到20%。
IGBT絕緣柵雙極型晶體管為儲(chǔ)能逆變器的上游原材料，IGBT的性能決定了儲(chǔ)能逆變器的性能，占逆變器價(jià)值量的20%-30......
汽車(chē)級(jí)大功率IGBT現(xiàn)狀及未來(lái)趨勢(shì)研究 ?(2024-07-14)
高壓系統(tǒng)中主要以大功率 IGBT 模塊方案為主。
2. IGBT 工作原理
IGBT 芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)結(jié)合了 MOSFET 的驅(qū)動(dòng)優(yōu)勢(shì)及 BJT（雙極性晶體管）的導(dǎo)通優(yōu)勢(shì)（如圖 3 所示）。
圖 3......
廠商談IGBT大缺貨：根本買(mǎi)不到！(2023-03-20)
廠商談IGBT大缺貨：根本買(mǎi)不到！;
【導(dǎo)讀】半導(dǎo)體景氣下行，晶片業(yè)普遍面臨客戶砍單與報(bào)價(jià)修正壓力之際，有「電力電子中央處理器（CPU）」之譽(yù)的絕緣閘極雙極性晶體管（IGBT）在電......
北京大學(xué)公開(kāi)存儲(chǔ)器專(zhuān)利(2024-03-11)
北京大學(xué)公開(kāi)存儲(chǔ)器專(zhuān)利;存儲(chǔ)器是電子信息處理系統(tǒng)中不可或缺的組成部分。在過(guò)去，依靠CMOS工藝的不斷進(jìn)步，存儲(chǔ)器的性能得以不斷提高。
但近年來(lái)，一方面，尺寸微縮導(dǎo)致的晶體管......
意法半導(dǎo)體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效(2023-09-11)
意法半導(dǎo)體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效;
【導(dǎo)讀】意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管......
意法半導(dǎo)體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效(2023-09-12 10:03)
意法半導(dǎo)體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效;STPOWER IH2面向工業(yè)和電磁加熱應(yīng)用意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管......
意法半導(dǎo)體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效(2023-09-11)
意法半導(dǎo)體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效;新系列 將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變......
如何優(yōu)化隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)電路?(2022-12-09)
，開(kāi)關(guān)延遲比多級(jí)PNP晶體管小。圖7是FOD3120的壓降曲線。
圖7? 輸出高壓降與TA?
門(mén)驅(qū)動(dòng) CMTI(或噪聲抑制)性能
光隔離MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)......
是我們對(duì)架構(gòu)的設(shè)想，涉及六個(gè)方面：?
l? 微縮問(wèn)題
l? 堆疊挑戰(zhàn)
l? 面積縮小
l? 創(chuàng)新連接
l? 通孔陣列
l? 工藝要求
?
微縮問(wèn)題
?
DRAM單元電路由一個(gè)晶體管......
一文解析MOS管/三極管/IGBT之間的關(guān)系(2024-11-09 00:48:11)
區(qū)的電子為PNP晶體管的n區(qū)持續(xù)提供電子，這就保證了PNP晶體管的基極電流。我們給它外加正向偏壓VCE，使PNP正向?qū)ǎ?font color='#FC5C18'>IGBT器件正常工作。
這就......
變頻器和IGBT的基礎(chǔ)知識(shí)(2024-05-30)
關(guān)頻率則受器件開(kāi)關(guān)時(shí)間的限制。采用絕緣雙極型晶體管IGBT時(shí)，開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)10kHz以上，輸出波形已經(jīng)非常逼近正弦波，因而又稱為SPWM逆變器，成為當(dāng)前最有發(fā)展前途的一種裝置形式。
電壓型變頻器結(jié)構(gòu)框圖：
電壓......
、肖特基二極管(SBD)、LED驅(qū)動(dòng)IC、IGBT、PD （Photo? Diode）等產(chǎn)品和技術(shù)。
據(jù)了解，深?lèi)?ài)半導(dǎo)體成立于1988年2月，現(xiàn)有一條5英寸雙極功率晶體管芯片生產(chǎn)線，一條......
新增SiC和IGBT模型,羅姆官網(wǎng)可提供超過(guò)3,500種LTspice模型(2023-10-12)
物－半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是FET中最常用的結(jié)構(gòu)。
*4) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）
同時(shí)具有MOSFET的高速開(kāi)關(guān)特性和雙極晶體管的低導(dǎo)通損耗特性的功率晶體管......
常用的結(jié)構(gòu)。
*4) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）
同時(shí)具有MOSFET的高速開(kāi)關(guān)特性和雙極晶體管的低導(dǎo)通損耗特性的功率晶體管......
，是FET中最常用的結(jié)構(gòu)。
*4) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）
同時(shí)具有MOSFET的高速開(kāi)關(guān)特性和雙極晶體管的低導(dǎo)通損耗特性的功率晶體管......
IR宣布擴(kuò)充節(jié)能的600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列(2014-05-15)
IR宣布擴(kuò)充節(jié)能的600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列;IR宣布擴(kuò)充節(jié)能的600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，并提供多種封裝選擇。堅(jiān)固可靠的全新IRxx46xx 器件......
具有集成反激式控制器的智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器(2023-02-20)
供電柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器用于提供高壓增強(qiáng)電流絕緣并提供高輸出電流以切換電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或逆變器中的 IGBT。電壓比較器和晶體管開(kāi)關(guān)等分立元件用于在短路故障期間保護(hù)昂貴的 IGBT，而數(shù)字光耦合器用于提供隔離反饋。Avago Technologies 已將......
雙面散熱汽車(chē)IGBT器件熱測(cè)試評(píng)估方式創(chuàng)新(2023-03-06)
雙面散熱汽車(chē)IGBT器件熱測(cè)試評(píng)估方式創(chuàng)新;IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction......
發(fā)力汽車(chē)領(lǐng)域，瑞薩收購(gòu)4D雷達(dá)公司并擴(kuò)產(chǎn)IGBT;瑞薩電子近日發(fā)力汽車(chē)領(lǐng)域，先后宣布收購(gòu)了4D雷達(dá)公司印度Steradian，并推出新一代Si-IGBT（硅基絕緣柵雙極晶體管）器件。
收購(gòu)......
電動(dòng)汽車(chē)及太陽(yáng)能電廠需求旺盛，IGBT供不應(yīng)求(2023-03-20)
電動(dòng)汽車(chē)及太陽(yáng)能電廠需求旺盛，IGBT供不應(yīng)求;
【導(dǎo)讀】據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道，在半導(dǎo)體市場(chǎng)需求下滑之際，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）依然是大缺貨，并且......
IGBT在新能源汽車(chē)上的應(yīng)用(2024-10-22 08:01:16)
是信號(hào)鏈類(lèi)的通信芯片。
IGBT全稱為
絕緣柵雙極型晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor......
半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布，將憑借600 V器件系列進(jìn)軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場(chǎng)，而30A NGW30T60M3DF將打響進(jìn)軍市場(chǎng)的第一炮。Nexperia在其......
ADUM4137數(shù)據(jù)手冊(cè)和產(chǎn)品信息(2024-11-11 09:20:41)
ADUM4137數(shù)據(jù)手冊(cè)和產(chǎn)品信息;ADuM41371ADuM4138 是一款已專(zhuān)門(mén)針對(duì)絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動(dòng)進(jìn)行優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器。ADI 公司的 iCoupler? 技術(shù)......
NXP GateDriver GD3160 簡(jiǎn)介(2024-04-30)
轉(zhuǎn)換成大電流柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，從而驅(qū)動(dòng)?IGBT?以及 SiC 等大功率晶體管，進(jìn)一步帶動(dòng)牽引電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)。
二、Gate Driver 介紹
Gate Driver，柵極驅(qū)動(dòng)器，作為主控 MCU 以及晶體管之間的橋梁，首要......
DRAM工藝如何微縮？應(yīng)用材料推出材料工程解決方案(2021-05-08)
電容器、互連布線和邏輯晶體管。這些解決方案現(xiàn)已投入大規(guī)模量產(chǎn)，預(yù)計(jì)未來(lái)幾年將為應(yīng)用材料公司的DRAM業(yè)務(wù)帶來(lái)顯著營(yíng)收增長(zhǎng)。
推出應(yīng)用于電容器微縮的Draco?硬掩模
在DRAM芯片中，超過(guò)55%的晶粒面積被存儲(chǔ)陣列......
新能源車(chē)SiC-MOSFET發(fā)展分析(2023-06-19)
進(jìn)行開(kāi)關(guān)。
功率組件是一種只用于電力轉(zhuǎn)換和控制的電子組件，分為二極管（整流和保護(hù)電路）、晶體管（負(fù)責(zé)開(kāi)關(guān)）與閘流體（電路驅(qū)動(dòng)）。其中晶體管......
IGBT背后的男人，徹底改變了新能源汽車(chē)，獲巨額獎(jiǎng)金(2024-09-12)
IGBT背后的男人，徹底改變了新能源汽車(chē)，獲巨額獎(jiǎng)金;美國(guó)北卡羅來(lái)納州立大學(xué)名譽(yù)教授 Bantval Jayant Baliga 因其在絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)的發(fā)明、開(kāi)發(fā)......
Diodes公司的雙極晶體管采用 3．3mm x 3．3mm 封裝并提供更高的功率密度(2019-03-12)
用提供更高的功率密度。新款 NPN 與 PNP 晶體管的尺寸較小，可在閘極驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 與 IGBT、線性 DC-DC 降壓穩(wěn)壓器、PNP LDO 及負(fù)載開(kāi)關(guān)電路，提供......
取向有機(jī)半導(dǎo)體單晶圖案的直寫(xiě)打印新方法
圖2.利用單一取向晶體薄膜陣列實(shí)現(xiàn)了有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管及偏振光電探測(cè)器的陣列化制備
原標(biāo)題：化學(xué)所在印刷制備單一取向有機(jī)半導(dǎo)體單晶陣列方面取得進(jìn)展
封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)......
IGBT驅(qū)動(dòng)電路介紹(2024-02-29)
IGBT驅(qū)動(dòng)電路介紹;，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級(jí)）和PNP晶體管（輸出級(jí)）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有......
聊聊IGBT功率模塊的結(jié)溫計(jì)算及其模型(2023-09-12)
與周?chē)h(huán)境溫度的差值越小。采用熱等效回路模型來(lái)描述功率模塊器件的熱行為，如下圖1：
2. 功率模塊IGBT結(jié)溫計(jì)算
電機(jī)控制器功率模塊的結(jié)溫取決于IGBT晶體管和續(xù)流二極管的損耗，因此，根據(jù)......
ADALM2000實(shí)驗(yàn)：CMOS邏輯電路、D型鎖存?器(2023-06-09)
使用ADALP2000模擬部件套件中的CD4007 CMOS陣列和分立式NMOS和PMOS晶體管（ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS）。CD4007由3對(duì)互補(bǔ)MOSFET組成，如圖1所示。每對(duì)......
如何增強(qiáng)工業(yè)電機(jī)控制性能？這有兩款隔離解決方案(2023-03-24)
母線電壓在300 V至1000 V范圍內(nèi)。采用脈寬調(diào)制(PWM)方案，以5 kHz至10 kHz的典型頻率切換功率晶體管T1至T6，從而在電機(jī)端子上產(chǎn)生可變電壓、可變頻率的三相正弦交流電壓。
圖3. 電機(jī)......
5大重要技巧讓您利用 SiC 實(shí)現(xiàn)高能效電力電子產(chǎn)品！(2023-02-20)
有新設(shè)計(jì)采用 IGBT。IGBT 可以承受大約高達(dá) 1900 V 的高壓，但開(kāi)關(guān)速度較慢。SiC 器件可以應(yīng)對(duì)高電壓和電流水平，但開(kāi)關(guān)速度要快得多。SiC 晶體管承受的電壓上限為 1800 V，因此......
高新發(fā)展：芯未半導(dǎo)體10億元功率半導(dǎo)體項(xiàng)目廠房已封頂(2023-02-03)
都日?qǐng)?bào)報(bào)道，2022年8月，成都高新西區(qū)高投芯未高端功率半導(dǎo)體器件和組件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目開(kāi)工。該項(xiàng)目總投資約10億元，運(yùn)營(yíng)方為成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司，主要從事IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等功......
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;szwtron;;分布式組件、集成電路、電子組件、被動(dòng)組件等。主動(dòng)組件：小信號(hào)晶體管、功率晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、IGBT、線性IC、邏輯處理IC、LCD驅(qū)動(dòng)IC、、MP3IC、DVDIC、工業(yè)
晶體管、GRT、IGBT模塊及電子產(chǎn)品殼主件，同時(shí)代銷(xiāo)南京丹元電器廠、石無(wú)二廠、南昌七四六廠等器件廠產(chǎn)品。
;斯裕自動(dòng)化有限公司;;斯裕自動(dòng)化主要從事自動(dòng)化產(chǎn)品銷(xiāo)售，大量庫(kù)存現(xiàn)貨供應(yīng)，IGBT、芯片、晶體管、繼電器等西門(mén)子產(chǎn)品
;深圳四達(dá)通供應(yīng)鏈有限公司;;本公司主營(yíng)集成電路，晶體管，TVS，IGBT等電子元器件貿(mào)易，主要產(chǎn)線infineon?/NXP/?TI/microchip/ON等，保證所掛實(shí)物，原廠原裝，假一
等行業(yè)中 LRC晶體管：SOT-23，插件小功率晶體管，TVS管！
;深圳市科城電子有限公司;;本公司主要產(chǎn)品有IR 仙童 ST 富士通 英飛凌 東芝 飛利浦 POWER 場(chǎng)效應(yīng) IGBT 功率管 肖特基 快恢復(fù) 三端穩(wěn)壓管 可控硅 模塊 等系列晶體管 貨源
我國(guó)功率半導(dǎo)體器件行業(yè)大型重點(diǎn)骨干企業(yè)和軍用元器件研制生產(chǎn)的西安衛(wèi)光電工廠（國(guó)營(yíng)第八七七廠）合作，主要研制、生產(chǎn)低頻大功率晶體管、高頻中小功率晶體管、玻封二極管、硅堆硅橋、達(dá)林頓管、VDMOS、IGBT、可控硅、三端穩(wěn)壓器；GTR、IGBT、MOS模塊
國(guó)功率半導(dǎo)體器件行業(yè)大型重點(diǎn)骨干企業(yè)和軍用元器件研制生產(chǎn)的西安衛(wèi)光電工廠（國(guó)營(yíng)第八七七廠）合作，主要研制、生產(chǎn)低頻大功率晶體管、高頻中小功率晶體管、玻封二極管、硅堆硅橋、達(dá)林頓管、VDMOS、IGBT、可控硅、三端
器、穩(wěn)壓二三極管、IGBT管、快恢復(fù)及超快恢復(fù)、貼片電容電阻、貼片鉭電容等產(chǎn)品的經(jīng)銷(xiāo)批發(fā)的私營(yíng)獨(dú)資企業(yè)。上海飛遁電子科技有限公司經(jīng)營(yíng)的集成電路、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、肖特基、達(dá)林頓晶體管、整流
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