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絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作結(jié)合了高效率和快速開關(guān)的電子開關(guān)。IGBT模塊配置為不對稱橋、升壓、降壓和制動斬波器、全橋、三電平和三相逆變器。IGBT單元的構(gòu)造類似于n溝道垂直構(gòu)造功率MOSFET，只是n+漏極被p+集電極層代替，從而形成垂直PNP雙極結(jié)晶體管。大型IGBT模塊通常由多個并聯(lián)裝置組成，可具有數(shù)百安培量級的極高電流處理能力，阻斷電壓為6500 V。富士電氣IGBT模塊已開發(fā)用于電機、不間斷電源等變速驅(qū)動器的功率轉(zhuǎn)換器的開關(guān)元件。與傳統(tǒng)產(chǎn)品（富士電機的第6代V系列）相比，第7代X系列降低了逆變器運行期間的功率損耗。這有助于節(jié)能和降低安裝模塊的設(shè)備的電力成本。Mouser Electronics是許多IGBT模塊制造商的授權(quán)分銷商，包括Infineon、IXYS、Microsemi、三菱、on Semiconductor、，Vishay等。
延伸閱讀
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- igbt驅(qū)動芯片選型
- igbt驅(qū)動損耗計算
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資訊
新能源汽車解析丨什么是IGBT？結(jié)構(gòu)與拆解(2023-10-08)
撬開后，直接用手撬開即可。五、常見問題1、什么是IGBT模塊？IGBT 是一種功率半導(dǎo)體芯片，是絕緣柵雙極晶體管的簡稱。... IGBT?功率模塊用作電子開關(guān)設(shè)備。通過交替開關(guān)，直流電 (DC) 可以......
基礎(chǔ)知識之IGBT(2024-03-22)
兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
IGBT的應(yīng)用范圍
功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍
功率半導(dǎo)體分為以元件單位構(gòu)成的分立式元器件 (Discrete) 部件和由該基本部件組成的模塊......
航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。
IGBT 模塊是由 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與 FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的 IGBT 模塊......
吉利科技旗下晶能微電子自研首款車規(guī)級 IGBT 產(chǎn)品成功流片(2023-03-16)
傳動等領(lǐng)域。
IGBT 是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。
IGBT 模塊是由 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管......
今年功率晶體管銷售額可望達到245億美元，增長11%(2022-10-12)
半導(dǎo)體大致可以分為功率半導(dǎo)體分立器件（Power Discrete，包括功率模塊）和功率半導(dǎo)體集成電路（Power IC）兩大類，晶體管屬于功率分立器件其中的一種，包括金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極型晶體管......
儲能系統(tǒng)的關(guān)鍵零部件——IGBT介紹(2024-10-08 17:04:04)
合計構(gòu)成電化學(xué)儲能系統(tǒng)成本的80%，其中儲能逆變器占到20%。
IGBT絕緣柵雙極型晶體管為儲能逆變器的上游原材料，IGBT的性能決定了儲能逆變器的性能，占逆變器價值量的20%-30......
汽車級大功率IGBT現(xiàn)狀及未來趨勢研究 ?(2024-07-14)
高壓系統(tǒng)中主要以大功率 IGBT 模塊方案為主。
2. IGBT 工作原理
IGBT 芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)結(jié)合了 MOSFET 的驅(qū)動優(yōu)勢及 BJT（雙極性晶體管）的導(dǎo)通優(yōu)勢（如圖 3 所示）。
圖 3......
雙面散熱汽車IGBT器件熱測試評估方式創(chuàng)新(2023-03-06)
雙面散熱汽車IGBT器件熱測試評估方式創(chuàng)新;IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction......
聊聊IGBT功率模塊的結(jié)溫計算及其模型(2023-09-12)
與周圍環(huán)境溫度的差值越小。采用熱等效回路模型來描述功率模塊器件的熱行為，如下圖1：
2. 功率模塊IGBT結(jié)溫計算
電機控制器功率模塊的結(jié)溫取決于IGBT晶體管和續(xù)流二極管的損耗，因此，根據(jù)......
5大重要技巧讓您利用 SiC 實現(xiàn)高能效電力電子產(chǎn)品！(2023-02-20)
有新設(shè)計采用 IGBT。IGBT 可以承受大約高達 1900 V 的高壓，但開關(guān)速度較慢。SiC 器件可以應(yīng)對高電壓和電流水平，但開關(guān)速度要快得多。SiC 晶體管承受的電壓上限為 1800 V，因此......
請問一下IGBT是如何實現(xiàn)電路控制的？(2024-06-14)
請問一下IGBT是如何實現(xiàn)電路控制的？;絕緣柵雙極晶體管（英語：Insulated Gate Bipolar Transistor,?IGBT），是半導(dǎo)體器件的一種，主要用于新能源電動汽車、及電......
賽晶亞太半導(dǎo)體IGBT生產(chǎn)線竣工投產(chǎn)！(2021-06-24)
賽晶亞太半導(dǎo)體IGBT生產(chǎn)線竣工投產(chǎn)！;6月23日，賽晶科技發(fā)布公告，旗下子公司賽晶亞太半導(dǎo)體科技（浙江）有限公司在浙江省嘉興市嘉善縣經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)舉行了絕緣柵雙極晶體管（IGBT）生產(chǎn)......
WBG 器件給柵極驅(qū)動器電源帶來的挑戰(zhàn)(2024-09-25)
柵極電壓始終低于導(dǎo)通閾值。
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RA3 系列針對柵極驅(qū)動器進行了優(yōu)化
RECOM RA3 系列非穩(wěn)壓 3 W DC/DC 轉(zhuǎn)換器，專門設(shè)計用于為晶體管柵極驅(qū)動器供電。這些模塊的輸入電壓為 5、12 或......
IGBT驅(qū)動電路介紹(2024-02-29)
IGBT驅(qū)動電路介紹;，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的特點（控制和響應(yīng)），又有......
變頻器和IGBT的基礎(chǔ)知識(2024-05-30)
關(guān)頻率則受器件開關(guān)時間的限制。采用絕緣雙極型晶體管IGBT時，開關(guān)頻率可達10kHz以上，輸出波形已經(jīng)非常逼近正弦波，因而又稱為SPWM逆變器，成為當(dāng)前最有發(fā)展前途的一種裝置形式。
電壓型變頻器結(jié)構(gòu)框圖：
電壓......
味著它們適用于逆變器,整流器及雙向變換電路應(yīng)用，在過流條件下更加穩(wěn)健。
Nexperia絕緣柵雙極晶體管和模塊業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理姜克博士表示：“Nexperia通過發(fā)布IGBT，為設(shè)......
安森美推出第七代IGBT智能功率模塊，助力降低供暖和制冷能耗(2024-02-29)
安森美推出第七代IGBT智能功率模塊，助力降低供暖和制冷能耗;
【導(dǎo)讀】智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT......
新能源車SiC-MOSFET發(fā)展分析(2023-06-19)
進行開關(guān)。
功率組件是一種只用于電力轉(zhuǎn)換和控制的電子組件，分為二極管（整流和保護電路）、晶體管（負責(zé)開關(guān)）與閘流體（電路驅(qū)動）。其中晶體管......
使用數(shù)字萬用表對IGBT模塊進行檢驗(2023-03-15)
使用數(shù)字萬用表對IGBT模塊進行檢驗;IGBT模塊是一種模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，由IGBT(絕緣柵雙極晶體管芯片)和續(xù)流二極管芯片(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋封裝而成。封裝后的IGBT模塊......
重大突破！中國功率半導(dǎo)體封測再添“利器”(2023-04-28)
重大突破！中國功率半導(dǎo)體封測再添“利器”;IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，俗稱電力電子裝置的“心臟”，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在高鐵、新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空......
安森美推出最新的第 7 代1200V QDual3 IGBT 功率模塊(2024-06-14)
絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模塊，與其他同類產(chǎn)品相比，該模塊的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。該800 安培 (A) QDual3 模塊基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT......
從硅到碳化硅，更高能效是功率器件始終的追求(2023-09-07)
待機和設(shè)備體積等多方面實現(xiàn)能耗的降低。
功率器件主要分為二極管、三極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等。其中，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是......
高新發(fā)展：芯未半導(dǎo)體10億元功率半導(dǎo)體項目廠房已封頂(2023-02-03)
，一期將建設(shè)一條8英寸超薄IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）特色背面晶圓線，一條高端功率半導(dǎo)體集成封裝生產(chǎn)線。一期項目建成后，將形成年產(chǎn)120萬只功率半導(dǎo)體模塊制造能力，10萬套集成組件生產(chǎn)能力
成都......
～150A的功率半導(dǎo)體模塊“MiniSKiiP?”，采用了ROHM的1200V耐壓IGBT“RGA系列”。
＜術(shù)語解說＞
*1) 汽車電子產(chǎn)品可靠性標準“AEC-Q101......
如何用萬用表測試MOSFET(2024-04-03)
如何用萬用表測試MOSFET;介紹：
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）晶體管是一種廣泛用于電子設(shè)備中開關(guān)和放大電子信號的半導(dǎo)體器件。
MOSFET 是一種四端子器件，具有......
日本電產(chǎn)理德推出半導(dǎo)體高速檢測裝置“NATS-1000”(2022-12-23)
Gate Bipolar Transistor :絕緣柵雙極晶體管）/SiC（Silicon Carbide：碳化硅）模塊的功能測試。
日本......
、Field Stop Trench IGBT（場截止溝槽型絕緣柵雙極晶體管）三條產(chǎn)品線實現(xiàn)量產(chǎn)。
對于未來，安建半導(dǎo)體表示還將針對不同應(yīng)用場景還將繼續(xù)開發(fā)不同性能和不同規(guī)格的產(chǎn)品，實現(xiàn)......
MKP386M，該器件可直接安裝在絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊上，容量從0.047μF到10μF，可在+105℃高溫下工作，有700VDC～2500VDC和420VAC～800VAC共7個電......
功率半導(dǎo)體市場放緩，報告稱中國大陸企業(yè)轉(zhuǎn)向 12 英寸晶圓和 IGBT 晶體管;11 月 28 日消息，根據(jù)集邦咨詢發(fā)布的最新報告，在功率半導(dǎo)體市場減速的大背景下，中國大陸企業(yè)在 12 英寸......
意法半導(dǎo)體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效(2023-09-11)
意法半導(dǎo)體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效;STPOWER IH2面向工業(yè)和電磁加熱應(yīng)用
2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管......
功率半導(dǎo)體在電動汽車充電中的作用(2022-11-28)
只需要斷斷續(xù)續(xù)的打開大水管上的閥門就能保證桶內(nèi)的水既不會干涸也不會溢出，這就是MOSFET與IGBT等可以快速開關(guān)的功率半導(dǎo)體的工作原理，由于晶體管不會處于常開狀態(tài)，其損耗相對較小，發(fā)熱較低，可靠性更高。
功率......
10分鐘狂充80%電量！東風(fēng)碳化硅功率模塊明年量產(chǎn)裝車(2022-12-13)
方面開辟兩條全新產(chǎn)線，按訂單需求生產(chǎn)IGBT模塊及功率模塊，到2025年，每年可為東風(fēng)新能源汽車生產(chǎn)提供約120萬只功率模塊。
作為電力電子行業(yè)里的“CPU”，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是國......
年產(chǎn)80萬只！廣汽集團旗下廣州青藍IGBT正式投產(chǎn)(2023-12-08)
年產(chǎn)80萬只！廣汽集團旗下廣州青藍IGBT正式投產(chǎn);據(jù)廣汽集團消息，12月5日，廣州青藍半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“廣州青藍”）IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）投產(chǎn)儀式在廣汽零部件（廣州）產(chǎn)業(yè)......
高效晶體管如何推動組串式光伏逆變器發(fā)展(2023-10-25)
的H5逆變器就采用IGBT模塊，實現(xiàn)了5kW單相和0.5W/in3功率密度。這種功率晶體管也具備主動冷卻功能。接下來，我們在2015年推出了5L逆變器，它基于150V OptiMOS? Si FET......
10分鐘狂充80%電量！東風(fēng)碳化硅功率模塊明年量產(chǎn)裝車(2022-12-13)
電力電子行業(yè)里的“CPU”，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是國際上公認的電子革命中最具代表性的產(chǎn)品，將多個 IGBT 芯片集成封裝在一起形成 IGBT 模塊，其功率更大、散熱能力更強，在新......
電控IGBT模塊入門詳解(2023-07-11)
需要引起行業(yè)內(nèi)的重視，那就是電機驅(qū)動部分最核心的元件IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管芯片）。作為電力電子行業(yè)里的“CPU”，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是國......
三菱電機發(fā)布J3系列SiC和Si功率模塊樣品(2024-01-26)
三菱電機發(fā)布J3系列SiC和Si功率模塊樣品;
【導(dǎo)讀】三菱電機集團近日（2024年1月23日）宣布即將推出六款用于各種電動汽車（xEV）的新型J3系列功率半導(dǎo)體模塊，這些模塊采用碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管......
Nexperia推出新款600 V單管IGBT，可在電源應(yīng)用中實現(xiàn)出色效率;
【導(dǎo)讀】基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布，將憑借600 V器件系列進軍絕緣柵雙極晶體管......
車規(guī)級IGBT有多重要？(2024-03-11)
車規(guī)級IGBT有多重要？;作為電力電子行業(yè)里的“CPU”，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是國際上公認的電子革命中最具代表性的產(chǎn)品。將多個IGBT芯片集成封裝在一起形成IGBT模塊，其功率更大、散熱......
伺服系統(tǒng)構(gòu)成及其工作原理(2024-06-03)
%以上。IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點，用于......
量產(chǎn)儀式”，并簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方共同宣布，攜手打造的高功率車規(guī)級IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）芯片，已通過終端車企產(chǎn)品驗證，廣泛進入了動力單元等汽車應(yīng)用市場。
圖片來源：華虹宏力
據(jù)介......
美高森美為工業(yè)應(yīng)用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT(2013-08-19)
美高森美為工業(yè)應(yīng)用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT;美高森美宣布提供下一代650V非穿通型(non-punch through, NPT)絕緣柵雙極晶體管(insulated......
提高 xEV 牽引逆變器系統(tǒng)的安全性(2022-12-08)
個原因需要監(jiān)控它們的狀態(tài)或狀況以及這樣做的不同方法。
開關(guān)保護和診斷的重要性
由于碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 或絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)
功率模塊......
Nexperia推出新款600 V單管IGBT，可在電源應(yīng)用中實現(xiàn)出色效率(2023-07-05 09:51)
器及雙向變換電路應(yīng)用，在過流條件下更加穩(wěn)健。Nexperia絕緣柵雙極晶體管和模塊業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理姜克博士表示：“Nexperia通過發(fā)布IGBT，為設(shè)計人員提供了更多的電源開關(guān)器件選擇，以滿......
喜訊！比亞迪半導(dǎo)體榮獲2021年度廣東省科技進步獎(2022-04-13)
發(fā)展。?
該項目圍繞新能源汽車及工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用，開展高可靠性大電流功率半導(dǎo)體芯片及模塊的技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)化，成功開發(fā)了適用于新能源汽車及工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用的新型絕緣柵雙極晶體管（IGBT）芯片、非負......
安森美推出第七代IGBT智能功率模塊，助力降低供暖和制冷能耗(2024-02-27)
安森美推出第七代IGBT智能功率模塊，助力降低供暖和制冷能耗;智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi)，近日宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT......
Ameya360：平面MOSFET與超級結(jié)MOSFET區(qū)別(2023-03-13)
-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。因為接下來的幾篇將談相關(guān)的話題，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎(chǔ)上，根據(jù)其特征和特性對使用區(qū)分有個初步印象。
下圖表示處理各功率晶體管......
變頻器的30個基礎(chǔ)知識（一）(2024-04-03)
逆變器部分的存在是 VFD 和直流驅(qū)動器之間的主要區(qū)別。
4.什么是變頻器中的 IGBT？
隔離柵雙極晶體管 (IGBT) 是電子驅(qū)動非?？斓陌雽?dǎo)體開關(guān)。通過在 IGBT 的柵......
變頻器的30個基礎(chǔ)知識（之一）(2024-03-28)
器本身有時被稱為逆變器，因為逆變器部分的存在是 VFD 和直流驅(qū)動器之間的主要區(qū)別。
4.什么是變頻器中的 IGBT？
隔離柵雙極晶體管 (IGBT) 是電子驅(qū)動非?？斓陌雽?dǎo)體開關(guān)。通過在 IGBT 的柵......
廠商談IGBT大缺貨：根本買不到！(2023-03-20)
廠商談IGBT大缺貨：根本買不到！;
【導(dǎo)讀】半導(dǎo)體景氣下行，晶片業(yè)普遍面臨客戶砍單與報價修正壓力之際，有「電力電子中央處理器（CPU）」之譽的絕緣閘極雙極性晶體管（IGBT）在電......
相關(guān)企業(yè)
，針織，工控，儀器儀表，醫(yī)療！ KSY微功率電源模塊，超低價格出售！ SANYO 日本三洋半導(dǎo)體：分別有馬達驅(qū)動芯片，IGBT，MOS管。主要應(yīng)用于POS機，機器人，雕刻機，電動汽車，電動自行車，紡織
晶體管、GRT、IGBT模塊及電子產(chǎn)品殼主件，同時代銷南京丹元電器廠、石無二廠、南昌七四六廠等器件廠產(chǎn)品。
;szwtron;;分布式組件、集成電路、電子組件、被動組件等。主動組件：小信號晶體管、功率晶體管、場效應(yīng)晶體管、IGBT、線性IC、邏輯處理IC、LCD驅(qū)動IC、、MP3IC、DVDIC、工業(yè)
;深圳市科城電子有限公司;;本公司主要產(chǎn)品有IR 仙童 ST 富士通 英飛凌 東芝 飛利浦 POWER 場效應(yīng) IGBT 功率管 肖特基 快恢復(fù) 三端穩(wěn)壓管 可控硅 模塊 等系列晶體管 貨源
復(fù)二極管，整流橋模塊；以及全系列集成電路，微波晶體管。充足的貨源，合理的價格，熱忱歡迎您的惠顧。
和FET,功率雙極晶體管和FET, IGBT, etc） h. 二極管（整流、齊納、開關(guān)二極管,SBD,變?nèi)荻O管,etc） i. 晶閘管/可控硅 II 羅姆電子 a. ASSP（音視頻用IC
我國功率半導(dǎo)體器件行業(yè)大型重點骨干企業(yè)和軍用元器件研制生產(chǎn)的西安衛(wèi)光電工廠（國營第八七七廠）合作，主要研制、生產(chǎn)低頻大功率晶體管、高頻中小功率晶體管、玻封二極管、硅堆硅橋、達林頓管、VDMOS、IGBT、可控硅、三端穩(wěn)壓器；GTR、IGBT、MOS模塊
穩(wěn)壓器；GTR、IGBT、MOS模塊等軍、民用產(chǎn)品。產(chǎn)品廣泛用于家用電器、節(jié)能燈、電源、電動自行車、計算機、通信、船舶、航空、航天等領(lǐng)域和國防重點工程。廠子先后從美國、瑞士、日本等國家引進了一流的晶體管
;斯裕自動化有限公司;;斯裕自動化主要從事自動化產(chǎn)品銷售，大量庫存現(xiàn)貨供應(yīng)，IGBT、芯片、晶體管、繼電器等西門子產(chǎn)品
;無錫市玉祁東方半導(dǎo)體器材廠;;?東方半導(dǎo)體建于1990年，是業(yè)內(nèi)著名的功率晶體管制造商?經(jīng)營宗旨：以質(zhì)量求發(fā)展，全力滿足客戶的需求?廠房面積7000平方米?現(xiàn)有員工250人，其中工程技術(shù)人員100